公开(公告)号：CN119935197A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510093995.9

申请日：2025-01-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 苏宁宁 ,  吴超 ,  齐润 ,  王俊强 ,  尉升升 ,  李孟委

IPC: G01D5/16 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C16/34 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法，属于金属电极热防护结构技术领域。本发明的热防护结构包括：传感器基底，其上依次设置有电极缓冲层和连续多层Pt‑W电极。在这种结构中，Pt电极是在W电极上沉积的，这种沉积方式使得Pt晶体结构更加稳定。本发明通过精确控制溅射工艺来制备连续多层的Pt‑W电极，可以显著提高Pt晶体的质量，从而有效避免Pt电极在高温环境下发生二次结晶，即所谓的“团聚”现象。本发明的热防护结构能够在不影响引线键合的前提下，确保电极电阻在高温环境中不会急剧增加，从而提高了热阻式传感器在高温环境下工作的可靠性。