公开(公告)号：CN118723920B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411186470.1

申请日：2024-08-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 张乐 ,  叶雷 ,  闫坤贤 ,  罗祥宇 ,  何剑 ,  穆继亮 ,  耿文平 ,  崔浩然 ,  郝泽宇 ,  丑修建

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61B5/293

Abstract: 本发明属于电气元件组件的制造技术领域，具体为基于行列寻址的高密度柔性神经电极阵列制造方法，包括聚偏氟乙烯滤膜的预处理，过滤纳米线图案，聚二甲基硅氧烷层的预处理，将带有列引线导电层的PDMS绝缘层和带有行引线导电层的PDMS基底层键合，PDMS封装层激光打孔后，将PDMS封装层与PDMS绝缘层键合，使行引线导电层的电极点和列引线导电层的电极点暴露并完成封装。行引线导电层中同一行的电极点共用同一根引线，列引线导电层中同一列的电极点共用同一根引线，使N×N电极阵列的引线数量从N²减少到2N，降低了线路的复杂性和成本，通过该方法制备的柔性神经电极阵列能显著提升脑电信号的采集效率和异常信号的定位精度。

公开(公告)号：CN118723920A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411186470.1

申请日：2024-08-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 张乐 ,  叶雷 ,  闫坤贤 ,  罗祥宇 ,  何剑 ,  穆继亮 ,  耿文平 ,  崔浩然 ,  郝泽宇 ,  丑修建

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61B5/293

Abstract: 本发明属于电气元件组件的制造技术领域，具体为基于行列寻址的高密度柔性神经电极阵列制造方法，包括聚偏氟乙烯滤膜的预处理，过滤纳米线图案，聚二甲基硅氧烷层的预处理，将带有列引线导电层的PDMS绝缘层和带有行引线导电层的PDMS基底层键合，PDMS封装层激光打孔后，将PDMS封装层与PDMS绝缘层键合，使行引线导电层的电极点和列引线导电层的电极点暴露并完成封装。行引线导电层中同一行的电极点共用同一根引线，列引线导电层中同一列的电极点共用同一根引线，使N×N电极阵列的引线数量从N²减少到2N，降低了线路的复杂性和成本，通过该方法制备的柔性神经电极阵列能显著提升脑电信号的采集效率和异常信号的定位精度。