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公开(公告)号：CN102928622A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210392440.7
申请日：2012-10-17
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器，具体是一种梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列。本发明解决了现有压阻式MEMS加速度传感器耦合过大、机械精度低、以及体积和质量过大的问题。梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，包括第一六梁双岛T形结构传感器、第二六梁双岛T形结构传感器、以及四梁锥台结构传感器；所述第一六梁双岛T形结构传感器包括X轴加速度传感器、Z轴低量程加速度传感器、以及第一正方形硅基框架；所述第二六梁双岛T形结构传感器包括Y轴加速度传感器、Z轴中量程加速度传感器、以及第二正方形硅基框架。本发明适用于测量高量程的冲击加速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102928621B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210402139.X
申请日：2012-10-22
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器封装技术，具体是一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构及方法。本发明解决了现有传感器封装技术易导致传感器在恶劣应用环境中失效的问题。一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构包括U形匹配电路板、矩形传感器芯片、矩形封装管壳、以及矩形基板；U形匹配电路板的下表面、矩形传感器芯片的下表面均与矩形基板的上表面贴附固定；U形匹配电路板的下表面与矩形基板的上表面之间、矩形传感器芯片的下表面与矩形基板的上表面之间均灌注有贴片胶层；矩形传感器芯片的外侧壁与U形匹配电路板的内侧壁贴附固定。本发明适用于各种传感器的封装，尤其适用于高量程加速度传感器的封装。
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公开(公告)号：CN102928622B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210392440.7
申请日：2012-10-17
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器，具体是一种梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列。本发明解决了现有压阻式MEMS加速度传感器耦合过大、机械精度低、以及体积和质量过大的问题。梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，包括第一六梁双岛T形结构传感器、第二六梁双岛T形结构传感器、以及四梁锥台结构传感器；所述第一六梁双岛T形结构传感器包括X轴加速度传感器、Z轴低量程加速度传感器、以及第一正方形硅基框架；所述第二六梁双岛T形结构传感器包括Y轴加速度传感器、Z轴中量程加速度传感器、以及第二正方形硅基框架。本发明适用于测量高量程的冲击加速度。
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公开(公告)号：CN103245798A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310148544.8
申请日：2013-04-26
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及高量程加速度传感器的滤波技术，具体是一种高量程加速度传感器的机械滤波方法。本发明解决了现有高量程加速度传感器的滤波技术无法避免高频噪声对高量程加速度传感器的损害、制作工艺复杂、生产成本高、以及无法满足高量程加速度传感器对微型化的要求的问题。高量程加速度传感器的机械滤波方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取缓冲层作为内滤波结构，并通过缓冲层将高量程加速度传感器的敏感结构粘结于高量程加速度传感器的管壳的内腔底面上；b.选取台形结构作为外滤波结构，并保证台形结构的上底面的面积大于高量程加速度传感器的管壳的下底面的面积。本发明适用于对高量程加速度传感器进行滤波。
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公开(公告)号：CN103245798B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310148544.8
申请日：2013-04-26
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及高量程加速度传感器的滤波技术，具体是一种高量程加速度传感器的机械滤波方法。本发明解决了现有高量程加速度传感器的滤波技术无法避免高频噪声对高量程加速度传感器的损害、制作工艺复杂、生产成本高、以及无法满足高量程加速度传感器对微型化的要求的问题。高量程加速度传感器的机械滤波方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取缓冲层作为内滤波结构，并通过缓冲层将高量程加速度传感器的敏感结构粘结于高量程加速度传感器的管壳的内腔底面上；b.选取台形结构作为外滤波结构，并保证台形结构的上底面的面积大于高量程加速度传感器的管壳的下底面的面积。本发明适用于对高量程加速度传感器进行滤波。
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公开(公告)号：CN102928621A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210402139.X
申请日：2012-10-22
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器封装技术，具体是一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构及方法。本发明解决了现有传感器封装技术易导致传感器在恶劣应用环境中失效的问题。一种高量程加速度传感器封装中的平面互连结构包括U形匹配电路板、矩形传感器芯片、矩形封装管壳、以及矩形基板；U形匹配电路板的下表面、矩形传感器芯片的下表面均与矩形基板的上表面贴附固定；U形匹配电路板的下表面与矩形基板的上表面之间、矩形传感器芯片的下表面与矩形基板的上表面之间均灌注有贴片胶层；矩形传感器芯片的外侧壁与U形匹配电路板的内侧壁贴附固定。本发明适用于各种传感器的封装，尤其适用于高量程加速度传感器的封装。
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