面向MEMS湍流探测的共模抑制振动补偿传感器结构

    公开(公告)号:CN107218932A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710410258.2

    申请日:2017-06-03

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种面向MEMS湍流探测的共模抑制振动补偿传感器结构,解决了平台振动对海洋湍流探测干扰极大等技术瓶颈问题。本发明包括底座、湍流传感器和补偿传感器,湍流传感器由第一中空壳体、第一传感芯片、保护罩和保护柱组成;补偿传感器由第二中空壳体、第二传感芯片和密封导流罩组成,并且第一中空壳体、第一传感芯片与第二中空壳体、第二传感芯片完全相同。本发明采用具有共模抑制的振动补偿方法,在不改动湍流传感器结构的基础上,利用补偿传感器的对照效果,实现了消除平台振动信号的目的,具有较高的准确性和可行性。

    MEMS湍流传感器的封装方法

    公开(公告)号:CN106153243B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201610488805.4

    申请日:2016-06-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及海洋湍流探测,具体是一种MEMS湍流传感器封装方法。本发明针对MEMS湍流传感器在海中应用可靠性封装的技术瓶颈问题,提出Parylene薄膜淀积、保护罩、保护杆和中空壳体结合的保护方式,解决电绝缘、防腐蚀、耐高静水压、防碰撞、防泥沙堵塞等问题。本发明适用于MEMS湍流传感器的封装。

    一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法

    公开(公告)号:CN106338617A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201610785127.8

    申请日:2016-08-31

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: G01P5/08

    Abstract: 本发明涉及矿用MEMS风速计,具体是一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法。一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法,包括以下步骤(:a)Parylene薄膜淀积:在矢量风速计外表面上采用CVD方法淀积2微米厚的Parylene薄膜;b)利用ICP刻蚀机对Parylene薄膜进行加工,采用SF6进行等离子体处理,在Parylene薄膜表面就形成高疏水表面。本发明利用Parylene薄膜的绝缘性,基于仿荷叶自洁效应的疏水处理方式,然后采用SF6等离子处理在Parylene薄膜表面形成高疏水表面,实现了微结构的电绝缘自清洁,具有一致性好、可批量加工的优点。

    MEMS湍流传感器的封装方法

    公开(公告)号:CN106153243A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610488805.4

    申请日:2016-06-29

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: G01L19/06 G01L19/0645

    Abstract: 本发明涉及海洋湍流探测,具体是一种MEMS湍流传感器封装方法。本发明针对MEMS湍流传感器在海中应用可靠性封装的技术瓶颈问题,提出Parylene薄膜淀积、保护罩、保护杆和中空壳体结合的保护方式,解决电绝缘、防腐蚀、耐高静水压、防碰撞、防泥沙堵塞等问题。本发明适用于MEMS湍流传感器的封装。

    面向MEMS湍流探测的共模抑制振动补偿传感器结构

    公开(公告)号:CN107218932B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201710410258.2

    申请日:2017-06-03

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种面向MEMS湍流探测的共模抑制振动补偿传感器结构,解决了平台振动对海洋湍流探测干扰极大等技术瓶颈问题。本发明包括底座、湍流传感器和补偿传感器,湍流传感器由第一中空壳体、第一传感芯片、保护罩和保护柱组成;补偿传感器由第二中空壳体、第二传感芯片和密封导流罩组成,并且第一中空壳体、第一传感芯片与第二中空壳体、第二传感芯片完全相同。本发明采用具有共模抑制的振动补偿方法,在不改动湍流传感器结构的基础上,利用补偿传感器的对照效果,实现了消除平台振动信号的目的,具有较高的准确性和可行性。

    一种MEMS二维湍流传感器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106568569B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201610876594.1

    申请日:2016-10-08

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及海洋湍流探测领域,具体是一种MEMS二维湍流传感器结构及其制备方法,包括SOI基片,SOI基片的顶层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成中心圆盘结构,埋氧层被刻蚀形成“田”字型结构,中心圆盘位于“田”字型结构的十字悬臂梁的交叉处,十字悬臂梁的四个梁臂上都设有硅纳米线,埋氧层上还设有金属引线,金属引线将硅纳米线连接由此形成惠斯通电桥,中心圆盘上集成有硅纤毛,底层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成方框状结构,“田”字型结构的四周支撑在方框状结构上。本发明针对海洋湍流探测维度、分辨率、灵敏度不够的技术问题,提出基于巨压阻效应的MEMS二维湍流传感器,利用纤毛‑十字梁结构和硅纳米线敏感单元实现湍流高灵敏度、高分辨、二维探测。

    一种MEMS二维湍流传感器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106568569A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610876594.1

    申请日:2016-10-08

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: G01M10/00 G01L9/06

    Abstract: 本发明涉及海洋湍流探测领域,具体是一种MEMS二维湍流传感器结构及其制备方法,包括SOI基片,SOI基片的顶层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成中心圆盘结构,埋氧层被刻蚀形成“田”字型结构,中心圆盘位于“田”字型结构的十字悬臂梁的交叉处,十字悬臂梁的四个梁臂上都设有硅纳米线,埋氧层上还设有金属引线,金属引线将硅纳米线连接由此形成惠斯通电桥,中心圆盘上集成有硅纤毛,底层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成方框状结构,“田”字型结构的四周支撑在方框状结构上。本发明针对海洋湍流探测维度、分辨率、灵敏度不够的技术问题,提出基于巨压阻效应的MEMS二维湍流传感器,利用纤毛‑十字梁结构和硅纳米线敏感单元实现湍流高灵敏度、高分辨、二维探测。

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