公开(公告)号：CN103795050A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210428821.6

申请日：2012-10-31

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 杜凤付 ,  戴彬传 ,  王茳

IPC: H02H9/04

CPC classification number: H02M1/32 ,  H02H3/20 ,  H02H7/10 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种高压保护电路、高压保护方法及电源。该高压保护电路包括：主继电器、辅助继电器、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容，其中，主继电器一端连接至火线的输入端口，另一端连接至火线的输出端口；辅助继电器一端连接至火线的输入端口，另一端连接在第一电阻和第二电阻之间；第一电容的一端连接至火线的输出端口，另一端连接至与火线并行的零线；第二电容并接于主继电器两端；第二电阻和第一电阻依次串联于火线的输入端口与输出端口之间。本发明通过在主继电器两端跨接第二电容，通过调节第一电容和第二电容的电容值，可有效解决节能模式下不能快速恢复的问题，使系统实现高效节能，并保证在节能模式下的高压保护。

公开(公告)号：CN103795050B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201210428821.6

申请日：2012-10-31

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 杜凤付 ,  戴彬传 ,  王茳

IPC: H02H9/04

CPC classification number: H02M1/32 ,  H02H3/20 ,  H02H7/10 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种高压保护电路、高压保护方法及电源。该高压保护电路包括：主继电器、辅助继电器、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容，其中，主继电器一端连接至火线的输入端口，另一端连接至火线的输出端口；辅助继电器一端连接至火线的输入端口，另一端连接在第一电阻和第二电阻之间；第一电容的一端连接至火线的输出端口，另一端连接至与火线并行的零线；第二电容并接于主继电器两端；第二电阻和第一电阻依次串联于火线的输入端口与输出端口之间。本发明通过在主继电器两端跨接第二电容，通过调节第一电容和第二电容的电容值，可有效解决节能模式下不能快速恢复的问题，使系统实现高效节能，并保证在节能模式下的高压保护。

公开(公告)号：CN107871781A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610854119.4

申请日：2016-09-27

Applicant: 西安电子科技大学 ,  中兴通讯股份有限公司

Inventor： 宋庆文 ,  张玉明 ,  贾一凡 ,  肖莉 ,  王茳 ,  王志坚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L27/0203 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET及其制造方法，用以解决现有技术中碳化硅MOSFET界面密度较高的问题，该碳化硅MOSFET包括：碱土金属氧化物形成的界面层，该界面层纵向设置于MOSFET的二氧化硅栅介质层与JFET区域之间，横向设置于MOSFET的两个N+源区接触之间，该碳化硅MOSFET缓解了传统碳化硅MOSFET器件中碳化硅与二氧化硅之间的晶格失配，从而缓和界面应力，减少悬挂键，改善了界面特性，提高了器件性能。