公开(公告)号：CN101459186B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200810179095.2

申请日：2008-11-27

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金学东

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 实施方案涉及图像传感器及其制造方法，所述图像传感器可包括晶体管、第一电介质、在第一电介质上和/或上方的晶体半导体层、光电二极管、虚拟区、通孔接触和第二电介质。可通过将杂质离子注入对应像素区的晶体半导体层以中形成光电二极管。在除了用于光电二极管的区域之外的晶体半导体层中可形成虚拟区。通孔接触可穿透虚拟区，并且可连接至第一金属互连。第二电介质可包括在晶体半导体层上和/或上方的多个第二金属互连。多个第二金属互连可将通孔接触电连接至光电二极管。

公开(公告)号：CN101459186A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810179095.2

申请日：2008-11-27

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金学东

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 实施方案涉及图像传感器及其制造方法，所述图像传感器可包括晶体管、第一电介质、在第一电介质上和/或上方的晶体半导体层、光电二极管、虚拟区、通孔接触和第二电介质。可通过将杂质离子注入对应像素区的晶体半导体层以中形成光电二极管。在除了用于光电二极管的区域之外的晶体半导体层中可形成虚拟区。通孔接触可穿透虚拟区，并且可连接至第一金属互连。第二电介质可包括在晶体半导体层上和/或上方的多个第二金属互连。多个第二金属互连可将通孔接触电连接至光电二极管。