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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1513008A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811396.9
申请日：2002-04-04
Applicant: 东洋纺织株式会社 , 东洋橡膠工业株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/0066 , C08L1/00 , C08L33/00 , C08L75/04 , C08G18/3876 , C08G18/3812 , C08L2666/02
Abstract: 使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且该聚氨酯为含有微细气泡的聚氨酯微发泡体并且通过动态粘弹性测定装置测定的40℃下的贮存弹性率在270MPa以上的聚氨酯组合物的研磨垫具有良好的平坦性。另外使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且上述实心珠子为在水性介质中溶胀或者溶解的实心珠子的聚氨酯组合物的研磨垫，可以兼有平坦性和均匀性，并且可以减少刮痕。
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公开(公告)号：CN1263781C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01811078.9
申请日：2001-06-07
Applicant: 东洋橡膠工业株式会社
CPC classification number: C08J9/30 , B24B37/24 , B24D3/28 , C08J9/0061 , C08J2375/04 , C08J2483/00
Abstract: 一种通过混合包含异氰酸酯化合物的第一成分和包含含活泼氢基团的化合物的第二成分生产细孔聚氨酯泡沫塑料的方法，其特征在于包含基于第一成分和第二成分的总量，以0.1-5重量%的量，不包括5重量%，向所述第一成分和第二成分的至少一种中加入不含羟基的非离子硅氧烷表面活性剂，随后搅拌所述包含表面活性剂的成分和惰性气体以将所述惰性气体分散成微细气泡，来制备气泡分散体，然后混合所述气泡分散体与剩余成分，固化得到的混合物。因此，不使用化学反应发泡剂如水、可汽化膨胀发泡剂如碳氟化合物、或其它物质如细粒中空泡沫或溶于溶剂的物质，可生产具有均匀细孔和比具有相同密度的聚氨酯泡沫塑料更高硬度的聚氨酯泡沫塑料。
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公开(公告)号：CN1285634C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02811396.9
申请日：2002-04-04
Applicant: 东洋橡膠工业株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/0066 , C08L1/00 , C08L33/00 , C08L75/04 , C08G18/3876 , C08G18/3812 , C08L2666/02
Abstract: 使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且该聚氨酯为含有微细气泡的聚氨酯微发泡体并且通过动态粘弹性测定装置测定的40℃下的贮存弹性率在270MPa以上的聚氨酯组合物的研磨垫具有良好的平坦性。另外使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且上述实心珠子为在水性介质中溶胀或者溶解的实心珠子的聚氨酯组合物的研磨垫，可以兼有平坦性和均匀性，并且可以减少刮痕。
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公开(公告)号：CN1602321A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN01811078.9
申请日：2001-06-07
Applicant: 东洋橡膠工业株式会社
CPC classification number: C08J9/30 , B24B37/24 , B24D3/28 , C08J9/0061 , C08J2375/04 , C08J2483/00
Abstract: 一种通过混合包含异氰酸酯化合物的第一成分和包含含活泼氢基团的化合物的第二成分生产细孔聚氨酯泡沫塑料的方法，其特征在于包含基于第一成分和第二成分的总量，以0.1－5重量％的量，不包括5重量％，向所述第一成分和第二成分的至少一种中加入不含羟基的非离子硅氧烷表面活性剂，随后搅拌所述包含表面活性剂的成分和惰性气体以将所述惰性气体分散成微细气泡，来制备气泡分散体，然后混合所述气泡分散体与剩余成分，固化得到的混合物。因此，不使用化学反应发泡剂如水、可汽化膨胀发泡剂如碳氟化合物、或其它物质如细粒中空泡沫或溶于溶剂的物质，可生产具有均匀细孔和比具有相同密度的聚氨酯泡沫塑料更高硬度的聚氨酯泡沫塑料。
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公开(公告)号：CN1586002A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822514.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋纺织株式会社 , 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C08G18/00
CPC classification number: C08G18/00 , B24B37/24 , B24D3/30 , B24D18/00 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/4211 , C08G18/4236 , C08G18/4808 , C08G18/4854 , C08G18/61 , C08G18/664 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08J9/0061 , C08J2205/052 , C08J2375/04 , C08J2483/00 , C08L83/00 , C09D175/08 , H01L21/30625 , Y10T428/249953 , Y10T428/249976 , C08G18/3814 , C08G18/3243 , C08G18/5096
Abstract: 本发明提供提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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