公开(公告)号：CN100474523C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。

公开(公告)号：CN1985362A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。

公开(公告)号：CN101001981A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580026535.5

申请日：2005-08-03

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  儿玉昌士 ,  田中宇大 ,  竹林仁 ,  东城哲朗 ,  三本敦久

IPC: C25B11/12 ,  C25B1/24

CPC classification number: C25B1/245 ,  C25B11/14

Abstract: 本发明提供仅经过将特定金属氟化物与碳材料混合后进行烧结的工序即可制作组织内的气孔少、机械强度高的碳电极，无论在NH4F－KF－HF体系还是NH4F－HF体系中碳电极都不会极化、显示长寿命的三氟化氮气体制造用碳电极。本发明的三氟化氮气体发生用碳电极由平均孔径为0.5μm以下的致密组织构成。另外，该电极优选由碳质材料和选自带有所述碳质材料烧结温度以上熔点的氟化镁、氟化铝中的至少1种以上的物质构成。优选选自所述氟化镁、氟化铝中至少1种以上的物质的含有率为3～10wt％。