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公开(公告)号：CN1795289B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200480014788.6
申请日：2004-03-23
Applicant: 东洋制罐株式会社
Abstract: 蒸镀膜的形成方法，该方法是通过将待处理的基材保持在等离子处理室内，向该处理室内供给有机硅化合物和氧化性气体以进行化学等离子处理来在基材表面上形成由硅氧化物构成的蒸镀膜，在该方法中，通过将等离子处理室内的有机硅化合物气体的供给量维持恒定，并在制备蒸镀膜的制膜过程中使氧化性气体的供给量发生变化，即可获得密合性、柔软性、挠性、氧隔离性和水分隔离性均优良的化学蒸镀膜。
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公开(公告)号：CN1759204A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006689.3
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B65D1/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
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公开(公告)号：CN101435075B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200810185927.1
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100453695C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480006689.3
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B65D1/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置；所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置设定在，形成于等离子体处理室内部的电场强度分布中的、电场强度分布的波节位置。
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公开(公告)号：CN100447297C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200480010016.5
申请日：2004-04-12
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , B65D23/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32284 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05B6/80
Abstract: 本发明提供一种能够在处理对象的表面形成均匀的薄膜层，而且能够在短时间内进行处理的微波等离子体处理方法。所述方法是通过将微波引入等离子体处理室(1)，使处理用的气体等离子体化，在配置于所述等离子体处理室(1)内的具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体(13)上形成薄膜层的微波等离子体处理方法，该方法将所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体(13)固定于与所述等离子体处理室(1)的中心轴相同的轴上，所述等离子体处理室内的微波的驻波模式在从所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的开口部(131)到主体部(133)为止采用TE模式或TEM模式，所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的底部(132)采用TE模式与TM模式共存的模式。
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公开(公告)号：CN101435075A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810185927.1
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
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公开(公告)号：CN1795289A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014788.6
申请日：2004-03-23
Applicant: 东洋制罐株式会社
Abstract: 蒸镀膜的形成方法，该方法是通过将待处理的基材保持在等离子处理室内，向该处理室内供给有机硅化合物和氧化性气体以进行化学等离子处理来在基材表面上形成由硅氧化物构成的蒸镀膜，在该方法中，通过将等离子处理室内的有机硅化合物气体的供给量维持恒定，并在制备蒸镀膜的制膜过程中使氧化性气体的供给量发生变化，即可获得密合性、柔软性、挠性、氧隔离性和水分隔离性均优良的化学蒸镀膜。
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公开(公告)号：CN1777698A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010016.5
申请日：2004-04-12
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , B65D23/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32284 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05B6/80
Abstract: 本发明提供一种能够在处理对象的表面形成均匀的薄膜层，而且能够在短时间内进行处理的微波等离子体处理方法。所述方法是通过将微波引入等离子体处理室(1)，使处理用的气体等离子体化，在配置于所述等离子体处理室(1)内的基体(13)上形成薄膜层的微波等离子体处理方法，该方法将所述基体(13)固定于与所述等离子体处理室(1)的中心轴相同的轴上，所述等离子体处理室内的微波的驻波模式在从所述基体的开口部(131)到主体部(133)为止采用TE模式或TEM模式，所述基体的底部(132)采用TE模式与TM模式共存的模式。
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