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公开(公告)号：CN1759204A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006689.3
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B65D1/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101435075B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200810185927.1
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
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公开(公告)号：CN100453695C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480006689.3
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B65D1/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置；所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置设定在，形成于等离子体处理室内部的电场强度分布中的、电场强度分布的波节位置。
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公开(公告)号：CN101731021B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880023845.5
申请日：2008-07-08
Applicant: 东洋制罐株式会社
CPC classification number: H05B6/54 , A23L3/10 , A23L5/15 , H05B3/0004 , H05B3/03
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够均匀地对不定形状的被加热材料进行加热、并且能够稳定地进行基于加热电极对被加热材料的加热·保持输送的加热电极以及使用该加热电极的食材的加热方法。将由导电性针构成的多个针电极(10)的集合体以能够滑动的方式配设于针支承座(20)的贯通孔(21)，使压力可变的压力可变气室(30)与针支承座(20)结合，通过对上述气室(30)加压或者减压而使针电极(10)相对于针支承座(20)相对变位。
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公开(公告)号：CN101731021A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880023845.5
申请日：2008-07-08
Applicant: 东洋制罐株式会社
CPC classification number: H05B6/54 , A23L3/10 , A23L5/15 , H05B3/0004 , H05B3/03
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够均匀地对不定形状的被加热材料进行加热、并且能够稳定地进行基于加热电极对被加热材料的加热·保持输送的加热电极以及使用该加热电极的食材的加热方法。将由导电性针构成的多个针电极(10)的集合体以能够滑动的方式配设于针支承座(20)的贯通孔(21)，使压力可变的压力可变气室(30)与针支承座(20)结合，通过对上述气室(30)加压或者减压而使针电极(10)相对于针支承座(20)相对变位。
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公开(公告)号：CN101435075A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810185927.1
申请日：2004-03-11
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
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