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公开(公告)号：CN104884417B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二
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公开(公告)号：CN104884417A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二氧基、Y表示羧基等、α表示3～10、β表示0～1、γ表示0～8、δ表示2～9、ε表示0～6、ζ表示6～16、η表示0～4、θ表示0～2、ι表示0～6的整数)。
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公开(公告)号：CN101111501B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN200680003726.4
申请日：2006-01-17
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07F7/21 , C23C16/42 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/62 , C07F7/21 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/5096 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3121
Abstract: 本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。
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公开(公告)号：CN102947393A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030196.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 东曹株式会社
CPC classification number: C08G77/18 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种聚合物组合物的制造方法，其特征在于，该聚合物组合物为适合于LED元件的封装、树脂部件的阻气层的材料，该制造方法中，混合如下成分(A)~(D)，使它们反应：作为成分(A)，为下述通式(1)的含不饱和基团硅氧烷化合物(式(1)中，R1为氢原子或碳数1~20的烃基。m为3以上的整数，a为0~10的整数。硅氧烷结构为链状或环状。)；作为成分(B)，为下述通式(2)的具有氢与硅直接连接的结构的硅氧烷化合物(式(2)中，R2为碳数1~20的烃基。n为3以上的整数，硅氧烷结构为链状或环状。)；作为成分(C)，为选自由元素周期表的第1族、第2族、第12族、第13族或第14族金属的有机金属化合物组成的组中的至少一种；作为成分(D)，为元素周期表的第8族、第9族、或第10族金属的金属催化剂。
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公开(公告)号：CN103781937A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043228.8
申请日：2012-08-24
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/316 , C07F7/08
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274
Abstract: 本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料，以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜，用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101111501A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003726.4
申请日：2006-01-17
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07F7/21 , C23C16/42 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/62 , C07F7/21 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/5096 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3121
Abstract: 本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。
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公开(公告)号：CN100444330C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200380104449.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 东曹株式会社
IPC: H01L21/312 , C07F7/18 , C07F7/21
Abstract: 本发明提供适合于半导体器件用的层间绝缘膜材料的利用化学气相沉积法形成的绝缘膜用材料，由这些材料形成的绝缘膜和使用了该绝缘膜的半导体器件。一种绝缘膜用材料，包含仲烃基和链烯基与硅原子直接连接，或链烯基与硅原子直接连接的有机硅烷化合物，仲烃基和/或链烯基与硅原子直接连接的有机硅氧烷化合物的任一个组成的通式(1)～(4)所示的有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的。
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公开(公告)号：CN1717792A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104449.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 东曹株式会社
IPC: H01L21/312 , C07F7/18 , C07F7/21
Abstract: 本发明提供适合于半导体器件用的层间绝缘膜材料的利用化学气相沉积法形成的绝缘膜用材料，由这些材料形成的绝缘膜和使用了该绝缘膜的半导体器件。一种绝缘膜用材料，包含仲烃基和链烯基与硅原子直接连接，或链烯基与硅原子直接连接的有机硅烷化合物，仲烃基和/或链烯基与硅原子直接连接的有机硅氧烷化合物的任一个组成的通式(1)～(4)所示的有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的。
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公开(公告)号：CN103781937B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280043228.8
申请日：2012-08-24
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/316 , C07F7/08
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274
Abstract: 本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料，以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜，用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。
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公开(公告)号：CN102947393B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201180030196.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 东曹株式会社
CPC classification number: C08G77/18 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种聚合物组合物的制造方法，其特征在于，该聚合物组合物为适合于LED元件的封装、树脂部件的阻气层的材料，该制造方法中，混合如下成分(A)~(D)，使它们反应：作为成分(A)，为下述通式(1)的含不饱和基团硅氧烷化合物(式(1)中，R1为氢原子或碳数1~20的烃基。m为3以上的整数，a为0~10的整数。硅氧烷结构为链状或环状。)；作为成分(B)，为下述通式(2)的具有氢与硅直接连接的结构的硅氧烷化合物(式(2)中，R2为碳数1~20的烃基。n为3以上的整数，硅氧烷结构为链状或环状。)；作为成分(C)，为选自由元素周期表的第1族、第2族、第12族、第13族或第14族金属的有机金属化合物组成的组中的至少一种；作为成分(D)，为元素周期表的第8族、第9族、或第10族金属的金属催化剂。
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