-
公开(公告)号:CN103781937A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201280043228.8
申请日:2012-08-24
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/316 , C07F7/08
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274
Abstract: 本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基,且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料,以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜,用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。
-
公开(公告)号:CN102947393A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201180030196.3
申请日:2011-06-08
Applicant: 东曹株式会社
CPC classification number: C08G77/18 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种聚合物组合物的制造方法,其特征在于,该聚合物组合物为适合于LED元件的封装、树脂部件的阻气层的材料,该制造方法中,混合如下成分(A)~(D),使它们反应:作为成分(A),为下述通式(1)的含不饱和基团硅氧烷化合物(式(1)中,R1为氢原子或碳数1~20的烃基。m为3以上的整数,a为0~10的整数。硅氧烷结构为链状或环状。);作为成分(B),为下述通式(2)的具有氢与硅直接连接的结构的硅氧烷化合物(式(2)中,R2为碳数1~20的烃基。n为3以上的整数,硅氧烷结构为链状或环状。);作为成分(C),为选自由元素周期表的第1族、第2族、第12族、第13族或第14族金属的有机金属化合物组成的组中的至少一种;作为成分(D),为元素周期表的第8族、第9族、或第10族金属的金属催化剂。
-
公开(公告)号:CN103781937B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201280043228.8
申请日:2012-08-24
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/316 , C07F7/08
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274
Abstract: 本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基,且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料,以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜,用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。
-
公开(公告)号:CN102947393B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201180030196.3
申请日:2011-06-08
Applicant: 东曹株式会社
CPC classification number: C08G77/18 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种聚合物组合物的制造方法,其特征在于,该聚合物组合物为适合于LED元件的封装、树脂部件的阻气层的材料,该制造方法中,混合如下成分(A)~(D),使它们反应:作为成分(A),为下述通式(1)的含不饱和基团硅氧烷化合物(式(1)中,R1为氢原子或碳数1~20的烃基。m为3以上的整数,a为0~10的整数。硅氧烷结构为链状或环状。);作为成分(B),为下述通式(2)的具有氢与硅直接连接的结构的硅氧烷化合物(式(2)中,R2为碳数1~20的烃基。n为3以上的整数,硅氧烷结构为链状或环状。);作为成分(C),为选自由元素周期表的第1族、第2族、第12族、第13族或第14族金属的有机金属化合物组成的组中的至少一种;作为成分(D),为元素周期表的第8族、第9族、或第10族金属的金属催化剂。
-
-
-