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公开(公告)号：CN119129504A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411249213.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于受控源的MEMS器件建模方法，属于器件等效电学建模领域。包括R‑L‑C谐振建模、输入输出端口阻抗‑频率特性建模和阻抗衰减补偿放大器。R‑L‑C谐振部分针对MEMS器件频率响应特性建模，输入输出端口阻抗‑频率特性建模主要使用R‑C无源网络，由于无源网络存在衰减，需要额外放大器作衰减补偿，受控源可以很好的模拟MEMS器件的换能特性与耦合结构。与已有的R‑L‑C串联模型或基于变压器的MEMS器件建模方法相比，本发明的建模方法S参数与实物更吻合、模型参数设计更便捷、电路仿真兼容性更强，更利于MEMS器件所需驱动电路的设计。
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