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公开(公告)号:CN117241649A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311268290.3
申请日:2023-09-28
Applicant: 东南大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜;(2)沿气体流动方向,将铋薄膜置于管式炉下游,将过量碲粉置于管式炉中心位置,抽真空后通入氩气作为载气,过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应,得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜,从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用;本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子,无需后续单独退火处理。
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公开(公告)号:CN115348069A
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202210953872.4
申请日:2022-08-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种大数据网络环境下的云计算数据安全防护系统、方法及装置,包括身份信息储存模块、身份验证模块、身份信息分析模块、病毒检测模块、数据删除模块、数量分析模块及等级评估模块,不仅实现实名登录的验证和分析,还具有对传输中的数据进行病毒检测的功能;此外,通过对登录账户进行等级划分,具有起到警示及防范的作用,从而会避免带有病毒的数据上传至数据库中,避免了网络数据被盗窃丢失的现象;本发明装置还配合设计升降平台,便于高处服务器的检修或查看,更加贴合实际使用需求。
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公开(公告)号:CN118441241A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410375476.7
申请日:2024-03-29
Applicant: 东南大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/30 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明公开了一种高电导率硒化铋热电薄膜及其制备方法,上述硒化铋热电薄膜的厚度为15‑60nm,功率因子为0.78‑7.6μW·cm‑1·K‑2;制备方法包括:(1)先利用物理气相沉积法在经预处理的基体的表面沉积铋薄膜,得沉积有铋薄膜的基体;(2)再将沉积有铋薄膜的基体置于管式炉的中心位置,硒粉置于管式炉的上游,最后通入惰性气体作为载气,硒粉随载气流动至铋薄膜上发生硒化反应,结束后即得。本发明制得的硒化铋薄膜厚度在60nm以下仍具有高功率因子,从而有利于实现60nm以下硒化铋薄膜在便携场景如可穿戴设备领域等中的应用;本发明通过调整铋薄膜厚度来提高硒化铋薄膜的功率因子,无需后续单独退火处理。
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