公开(公告)号：CN111638388B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202010584756.0

申请日：2020-06-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐庆宇 ,  王光宇

IPC: G01Q60/16 ,  G01Q70/16

Abstract: 本发明公开了一种制备自旋极化探针的方法。具体步骤为：在扫描探针显微镜或者扫描隧道显微镜探针的基础上，在针尖表面沉积一层10‑300nm厚的NiO薄膜，随后沉积一层厚度1‑30nm的Al2O3薄膜。然后将针尖接触金属薄膜表面，在针尖与薄膜之间加上电压，其中针尖电压高于薄膜的电压，并设定保护电流(10‑5A‑10‑1A)，电压加到一定数值(2V‑10V)时，电阻会突然从高阻态跳变到低阻态，这时NiO和Al2O3层内部形成了金属Ni的导电细丝，即制成自旋极化的探针。这种纳米尺度自旋极化的铁磁导电细丝探针制备工艺简单。细丝的直径严格可控，精度可以达到纳米尺度；可以通过改变Al2O3薄膜的厚度，控制导电细丝顶端与探测表面的间隔，对直接导电和隧穿导电机制进行调控。

公开(公告)号：CN111638388A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010584756.0

申请日：2020-06-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐庆宇 ,  王光宇

IPC: G01Q60/16 ,  G01Q70/16

Abstract: 本发明公开了一种制备自旋极化探针的方法。具体步骤为：在扫描探针显微镜或者扫描隧道显微镜探针的基础上，在针尖表面沉积一层10-300nm厚的NiO薄膜，随后沉积一层厚度1-30nm的Al2O3薄膜。然后将针尖接触金属薄膜表面，在针尖与薄膜之间加上电压，其中针尖电压高于薄膜的电压，并设定保护电流(10-5A-10-1A)，电压加到一定数值(2V-10V)时，电阻会突然从高阻态跳变到低阻态，这时NiO和Al2O3层内部形成了金属Ni的导电细丝，即制成自旋极化的探针。这种纳米尺度自旋极化的铁磁导电细丝探针制备工艺简单。细丝的直径严格可控，精度可以达到纳米尺度；可以通过改变Al2O3薄膜的厚度，控制导电细丝顶端与探测表面的间隔，对直接导电和隧穿导电机制进行调控。