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公开(公告)号：CN119578314A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510120081.7
申请日：2025-01-25
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/32 , G06F30/392 , G11C11/16 , H03K19/003 , G11C5/02
Abstract: 本发明公开了一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，针对写驱动电路、字线译码/驱动电路和列选电路中的基本组合逻辑单元，提出一种双模冗余（Double Module Redundancy，DMR）的抗辐照标准单元加固方法，并建立抗辐照标准单元库。围绕15个标准单元完成抗辐照单元库配置并绘制版图，同时仿真验证了数据准确性。相比传统三模冗余（Triple Module Redundancy，TMR）加固方案，在维持抗辐照性能前提下极大地降低功耗、版图面积和延迟时间。
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公开(公告)号：CN119559992A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510121766.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法，基于2T‑2M自参考结构，结合基于汉明码的差错检测和纠正电路和内建自测试‑自修复系统，进行软硬错误的检测与修复，在辐照环境下抑制软硬错误的发生，有效提高存储器的良率。内建自测试‑自修复系统包括具有故障诊断功能的内建自测试电路和内建冗余自修电路，系统中的时序逻辑单元调用采用双模冗余抗辐照加固方法设计的时序逻辑标准单元库。
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公开(公告)号：CN119559992B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510121766.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法，基于2T‑2M自参考结构，结合基于汉明码的差错检测和纠正电路和内建自测试‑自修复系统，进行软硬错误的检测与修复，在辐照环境下抑制软硬错误的发生，有效提高存储器的良率。内建自测试‑自修复系统包括具有故障诊断功能的内建自测试电路和内建冗余自修电路，系统中的时序逻辑单元调用采用双模冗余抗辐照加固方法设计的时序逻辑标准单元库。
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公开(公告)号：CN119578314B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510120081.7
申请日：2025-01-25
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/32 , G06F30/392 , G11C11/16 , H03K19/003 , G11C5/02
Abstract: 本发明公开了一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，针对写驱动电路、字线译码/驱动电路和列选电路中的基本组合逻辑单元，提出一种双模冗余（Double Module Redundancy，DMR）的抗辐照标准单元加固方法，并建立抗辐照标准单元库。围绕15个标准单元完成抗辐照单元库配置并绘制版图，同时仿真验证了数据准确性。相比传统三模冗余（Triple Module Redundancy，TMR）加固方案，在维持抗辐照性能前提下极大地降低功耗、版图面积和延迟时间。
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