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公开(公告)号：CN112582444A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011471922.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器件包括基电极、置位电极、复位电极、阻变介质、二极管和绝缘介质。其中基电极、置位电极和复位电极，用于阻变存储器件的置位、复位和数据输出。所述阻变介质在置位模式下可形成导电通道，器件由高阻态转变为低阻态；在复位模式下导电通道断开，器件由低阻态转变为高阻态；在输出模式下将器件状态读出。所述二极管可以是PN结二极管、肖特基二极管，利用其整流特性可抑制阻变存储器交叉阵列结构的串扰问题。所述绝缘介质在置位操作中，限制电流过大，在读取操作时，抑制串扰电流。
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公开(公告)号：CN111293205A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010111063.X
申请日：2020-02-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开一种可拆卸式光源基片的制作方法，包括如下步骤：步骤1，在铜片上刻蚀焊接槽，得到金属焊接座；再将0402贴片LED两端焊接在焊接槽中，得到LED焊接座；步骤2，在刻蚀有通孔的蓝宝石堵片的侧面刻蚀凹槽和螺丝孔，进行洗涤干燥后冷却；步骤3，采用锡箔纸将蓝宝石堵片包裹后，在暴露区域溅射金离子，形成电极和导线；步骤4，将LED焊接座嵌入蓝宝石堵片的凹槽中，并使用螺丝固定。此种制作方法制作过程简单，制成的光源基片体积小、成本低，移植性好。
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公开(公告)号：CN111276684A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010096774.4
申请日：2020-02-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种碳包覆复合材料的制备方法及其应用。将待包覆材料、聚丙烯腈加入N,N-二甲基甲酰胺溶液，并于25~85℃下搅拌12~24h；在得到的溶液中加入去离子水，至待包覆材料和聚丙烯腈的混合物充分析出；将析出物预氧化后于惰性气体氛围下碳化，得到碳包覆复合材料。本发明利用共聚物水析方法简化了碳包覆复合材料的制备步骤，提高了制备速度和安全性；同时可以精确调控复合材料中碳包覆层的含量，更符合实际需求；且由于可调变量多，使复合材料的结构和形貌更可控。本方法应用于锂离子电池硅负极材料，使电池展现出了优异的循环性能，在0.1A g-1电流密度下循环100次后，容量保持率大于85%。
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公开(公告)号：CN112582444B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202011471922.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器件包括基电极、置位电极、复位电极、阻变介质、二极管和绝缘介质。其中基电极、置位电极和复位电极，用于阻变存储器件的置位、复位和数据输出。所述阻变介质在置位模式下可形成导电通道，器件由高阻态转变为低阻态；在复位模式下导电通道断开，器件由低阻态转变为高阻态；在输出模式下将器件状态读出。所述二极管可以是PN结二极管、肖特基二极管，利用其整流特性可抑制阻变存储器交叉阵列结构的串扰问题。所述绝缘介质在置位操作中，限制电流过大，在读取操作时，抑制串扰电流。
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公开(公告)号：CN111268722B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010129129.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制造领域，特别涉及一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法。包括以下步骤：将普通层状二硫化锡经过超声分散至半碳膜上，并在透射电镜中用剐蹭锂金属的钨针尖去触碰二硫化锡并施加电压；会聚电子束对样品进行辐照得到垂直阵列结构的二硫化锡。该方法无需使用高温，无需其他有毒有害化学试剂，既简化了工艺又降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111268722A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010129129.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制造领域，特别涉及一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法。包括以下步骤：将普通层状二硫化锡经过超声分散至半碳膜上，并在透射电镜中用剐蹭锂金属的钨针尖去触碰二硫化锡并施加电压；会聚电子束对样品进行辐照得到垂直阵列结构的二硫化锡。该方法无需使用高温，无需其他有毒有害化学试剂，既简化了工艺又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111293205B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010111063.X
申请日：2020-02-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开一种可拆卸式光源基片的制作方法，包括如下步骤：步骤1，在铜片上刻蚀焊接槽，得到金属焊接座；再将0402贴片LED两端焊接在焊接槽中，得到LED焊接座；步骤2，在刻蚀有通孔的蓝宝石堵片的侧面刻蚀凹槽和螺丝孔，进行洗涤干燥后冷却；步骤3，采用锡箔纸将蓝宝石堵片包裹后，在暴露区域溅射金离子，形成电极和导线；步骤4，将LED焊接座嵌入蓝宝石堵片的凹槽中，并使用螺丝固定。此种制作方法制作过程简单，制成的光源基片体积小、成本低，移植性好。
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公开(公告)号：CN111455410A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010128584.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制造领域，特别涉及一种电子束辐照制备锂锡合金纳米晶体的方法。该方法将原料二氧化锡纳米材料和锂金属分别作为两个电极，其中，所述二氧化锡纳米颗粒作为负极，所述锂金属作为正极，施加电压得到锂-锡-氧非晶产物；将锂-锡-氧非晶产物放置在电子束下辐照，得到锂锡合金晶体。本发明通过电化学法替代原位电化学法制备锂-锡-氧非晶产物，不需要借助透射电子显微镜，极大地简化了流程与工艺。
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公开(公告)号：CN111295006A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010111050.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种透射电子显微镜原位光-电样品杆光源供电电路系统，主控MCU模块通过UART接口模块接收上位机输出的工作模式和预置电压量，并控制数模转换电路将预置电压量由数字信号转化为模拟信号，经放大电路进行输出，以该电压量调节LED光源的电压；所述采样电路采样LED光源的输出电压，并送入模数转换电路转换为数字信号后，由主控MCU模块利用PID算法比较输出电压幅值与预置电压量之间的偏差，根据该偏差对LED光源进行实时调节，从而将LED光源的输出电压调整至预置电压量。此种系统结构简单，输出电压范围为0-5V。本发明还公开一种能够使电源电压在电脑端可视化、可移植的上位机软件设计方法。
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公开(公告)号：CN120026350A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510290509.2
申请日：2025-03-12
Applicant: 东南大学
IPC: C25B11/061 , C25B11/091 , C25B3/07 , C25B3/20
Abstract: 本申请公开了一种用于电催化HMF转化为FDCA的催化剂的制备方法，用于生物质小分子5‑羟甲基糠醛(HMF)高效电催化转化为呋喃二甲酸(FDCA)过程。所述制备方法包括：首先通过电沉积制备非晶混合金属基底，然后再通过电化学原位合成CuNiO及嫁接PO4无机配体，最后通过电化学活化制的最终的PO4/CuNiOOH。本申请公开的催化剂PO4/CuNiOOH不仅可明显提高电催化HMF转化为FDCA的法拉第效率、HMF转化率、产物选择性，还能显著提高反应过程的电流密度，超过的工业级电流密度要求(200mA cm‑2)，且电极稳定性也有显著提升。本发明制备工艺简单，易操作，电极使用方便，适于工业化生产和市场推广应用。
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