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公开(公告)号：CN112582444A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011471922.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器件包括基电极、置位电极、复位电极、阻变介质、二极管和绝缘介质。其中基电极、置位电极和复位电极，用于阻变存储器件的置位、复位和数据输出。所述阻变介质在置位模式下可形成导电通道，器件由高阻态转变为低阻态；在复位模式下导电通道断开，器件由低阻态转变为高阻态；在输出模式下将器件状态读出。所述二极管可以是PN结二极管、肖特基二极管，利用其整流特性可抑制阻变存储器交叉阵列结构的串扰问题。所述绝缘介质在置位操作中，限制电流过大，在读取操作时，抑制串扰电流。
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公开(公告)号：CN112582444B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202011471922.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器件包括基电极、置位电极、复位电极、阻变介质、二极管和绝缘介质。其中基电极、置位电极和复位电极，用于阻变存储器件的置位、复位和数据输出。所述阻变介质在置位模式下可形成导电通道，器件由高阻态转变为低阻态；在复位模式下导电通道断开，器件由低阻态转变为高阻态；在输出模式下将器件状态读出。所述二极管可以是PN结二极管、肖特基二极管，利用其整流特性可抑制阻变存储器交叉阵列结构的串扰问题。所述绝缘介质在置位操作中，限制电流过大，在读取操作时，抑制串扰电流。
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公开(公告)号：CN111268722B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010129129.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制造领域，特别涉及一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法。包括以下步骤：将普通层状二硫化锡经过超声分散至半碳膜上，并在透射电镜中用剐蹭锂金属的钨针尖去触碰二硫化锡并施加电压；会聚电子束对样品进行辐照得到垂直阵列结构的二硫化锡。该方法无需使用高温，无需其他有毒有害化学试剂，既简化了工艺又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111268722A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010129129.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制造领域，特别涉及一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法。包括以下步骤：将普通层状二硫化锡经过超声分散至半碳膜上，并在透射电镜中用剐蹭锂金属的钨针尖去触碰二硫化锡并施加电压；会聚电子束对样品进行辐照得到垂直阵列结构的二硫化锡。该方法无需使用高温，无需其他有毒有害化学试剂，既简化了工艺又降低了生产成本。
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