公开(公告)号：CN118645529A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410565529.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 魏家行 ,  樊祥瑞 ,  付浩 ,  隗兆祥 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种高可靠性低损耗的功率器件，包括顶部金属层（1）、各个元胞，以及底部金属层（14）、第一导电类型衬底层（13）、第一导电类型外延层（12）；将第二导电类型深体区（7）延伸至第一导电类型外延层（12）深处，并通过特定刻蚀工艺在底端形成沟槽尖端，将电场转移至深体区，在不影响器件耐压水平的前提下，降低异质结界面处电场，降低漏电流；并且使得第一导电类型外延层（12）的掺杂浓度得以提升，进而提高漂移区和第一导电类型JFET区（10）载流子浓度，进一步降低导通电阻。本发明还提出了相应制造方法，解决了传统功率器件比导通电阻大、续流电压大和漏电流大的问题。