公开(公告)号：CN116015136A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310009519.5

申请日：2023-01-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 王青松 ,  杨鹏飞 ,  花为 ,  程明

IPC: H02P21/14 ,  H02P21/22 ,  H02P6/28 ,  H02P25/026 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种基于三角波注入的永磁同步电机参数辨识方法，涉及电机控制技术领域，对电机d轴电流注入带有直流偏置的三角波；在自回归最小二乘算法的辨识方程中考虑永磁同步电机的电压方程中的电流微分项；将相邻两组线性相关度低的输入数据组合成新的方程组；将电机的参数分为两段，利用生成的新的方程组进行辨识，输出辨识结果；本发明提出的基于三角波注入的分段式自回归最小二乘法参数辨识可以实现电机在稳态运行时依旧成功实时辨识电机的电阻、电感以及磁链，从而进一步提升永磁同步电机双闭环矢量控制的控制性能。

公开(公告)号：CN116451629A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310600470.0

申请日：2023-05-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 王青松 ,  杨鹏飞 ,  花为 ,  程明

IPC: G06F30/36 ,  H03K17/081 ,  H03K17/687 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET的去饱和电路参数设计方法，包括以下步骤：分析开关周期内去饱和保护电路的工作模态，并给出消隐时间td与稳态时VDESAT的表达式；根据给定的消隐时间td与消隐电阻RBLANK等参数可计算得到消隐电容CBLANK；提取开关管、阻断二极管数据手册中的导通特性曲线数据，并对其进行多项式拟合；将开关管最大导通电流IDamx与此时的阻断二极管稳态正向电流If分别代入拟合得到的开关管、阻断二极管导通特性多项式得到各自的导通电压Vf与VDS；反推稳态时VDESAT的表达式，并代入已得到的各参数计算出分压电阻RDSAT的值。本发明方法可以根据目标电流阈值准确计算出对应的电路参数，且具有较快的触发速度，保证开关管不被过大的电流损坏。