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公开(公告)号：CN114505281A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210132151.7
申请日：2022-02-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，利用金属延展性、塑性与半导体脆性的特性差异，将颗粒状碳酸氢钠晶体喷射至附有半导体沉积物的金属材质镀膜表面，通过晶体碎裂后沿着半导体沉积物薄膜表面散射过程中产生紧密的磨削作用与表面温差，实现半导体沉积物与金属镀膜设备表面之间的高效分离，收集喷射出的半导体及碳酸氢钠碎片，加水溶解除去碳酸氢钠并分离回收得到半导体沉积物粉体材料。本发明能有效去除金属材质表面的半导体沉积物，对金属镀膜设备表面无损伤，操作简单、安全且工艺环保。在回收有价值的半导体沉积物的同时减少了污染。
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公开(公告)号：CN114291810B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210121262.8
申请日：2022-02-09
Applicant: 东南大学
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯粉体材料及其制备方法，利用石墨质软、层与层间距离大、结合力小、各层可以滑动以及同层上的碳原子间结合很强从而极难破坏的特点，将颗粒状可溶于水的无机盐晶体喷射至石墨原料表面，通过无机盐对石墨的冲击、磨削和耕犁作用，使得表层石墨层的层间联结应力降低，实现石墨烯层的剥离，收集喷射出的混合物固体，加水溶解除去无机盐，经分离干燥得到所需的石墨烯材料。本发明使用无毒的无机盐喷射方法，实现石墨烯粉体的制备，无需使用危险化学试剂，具有成本低、操作安全、工艺环保、工艺易于产业化且所得石墨烯相对于化学法结构完整的优势。
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公开(公告)号：CN114291810A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210121262.8
申请日：2022-02-09
Applicant: 东南大学
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯粉体材料及其制备方法，利用石墨质软、层与层间距离大、结合力小、各层可以滑动以及同层上的碳原子间结合很强从而极难破坏的特点，将颗粒状可溶于水的无机盐晶体喷射至石墨原料表面，通过无机盐对石墨的冲击、磨削和耕犁作用，使得表层石墨层的层间联结应力降低，实现石墨烯层的剥离，收集喷射出的混合物固体，加水溶解除去无机盐，经分离干燥得到所需的石墨烯材料。本发明使用无毒的无机盐喷射方法，实现石墨烯粉体的制备，无需使用危险化学试剂，具有成本低、操作安全、工艺环保、工艺易于产业化且所得石墨烯相对于化学法结构完整的优势。
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