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公开(公告)号：CN106876444A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710126246.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层包括：势垒层、隔离层、沟道层和缺陷层；量子阱有源层上设置源极、漏极和栅极，栅极位于量子阱有源层的中间，源极和漏极位于量子阱有源层的两侧。本发明通过引入缺陷层俘获电子，使器件可以快速关断；通过生长多周期量子阱异质结，产生多个导电通道层，增加了器件的功率处理能力；通过使用台面结构，有效解决常规表面电极引起的内部电场弯曲问题，漏、源电压可以无差别的加载到多周期异质结两端；该器件的成功研发将使HEMT器件向更高频、高速、大功率领域发展。
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公开(公告)号：CN107256863B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710388404.6
申请日：2017-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种单片集成的光电芯片，包括集成在衬底上的至少一个输入端、光信号处理单元、至少一个光探测器、至少一个电信号调理单元和至少一个模数转换模块；光信号由输入端经光波导输入至光信号处理单元，接着进入光探测器进行光电转换或拍频，然后依次通过电放大器和电信号调理单元进行信号的放大和滤波，得到所需的信号，最后通过模数转换器进行模数转换，输出数字信号。本发明的光电芯片将多种功能光器件与相关的模数转换电路和信号处理电路集成在单一芯片上，极大减小了芯片的尺寸，实现了高密度、低成本、高性能和低能耗，满足未来信息社会环保绿色的需求。
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公开(公告)号：CN107256863A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710388404.6
申请日：2017-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种单片集成的光电芯片，包括集成在衬底上的至少一个输入端、光信号处理单元、至少一个光探测器、至少一个电信号调理单元和至少一个模数转换模块；光信号由输入端经光波导输入至光信号处理单元，接着进入光探测器进行光电转换或拍频，然后依次通过电放大器和电信号调理单元进行信号的放大和滤波，得到所需的信号，最后通过模数转换器进行模数转换，输出数字信号。本发明的光电芯片将多种功能光器件与相关的模数转换电路和信号处理电路集成在单一芯片上，极大减小了芯片的尺寸，实现了高密度、低成本、高性能和低能耗，满足未来信息社会环保绿色的需求。
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公开(公告)号：CN107196713B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710388405.0
申请日：2017-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: H04B10/60
Abstract: 本发明公开了一种基于光信号延时的光接收机和接收方法，包括光信号输入端口、光功率分配和延时模块、N路光电处理单元及数字电信号处理单元；光信号由光信号输入端口进入光功率分配和延时模块，然后输出N路光信号分别进入N路光电处理单元首先将电本振信号调制在光信号上然后进行光电转换，接着对每路电信号进行处理后，进行信号的模数转换，输出多路数字信号至数字电信号处理单元。本发明通过对输入光信号分配至多通道并分别延时，使这些多通道的采样时刻均匀交错来实现采样速率的N倍增加；另外，可以将光载波上的调制信号下变频，从而便于在较低的频率进行模数转换，有利于形成集成的高采样率的光信号输入和数字电信号输出的光接收机。
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公开(公告)号：CN107248535A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710304338.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/03529 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种光控HEMT及其控制方法，结合了增强型和耗尽型导电沟道，当合适的光信号入射到量子阱有源区时，第一沟道层中产生的电子‑空穴对可以在栅压电场的作用下迅速分离，电子处于第一沟道层中导通，空穴在电场作用下向第二沟道层漂移并与第二沟道层中的电子复合，消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。由于第一沟道导通的自由电子完全是由光照产生的，通过外加光信号控制第一沟道的截止与导通，无光照时第一沟道截止，有光照时第一沟道导通，因此本发明所述电子器件的开关完全是由光控制的，并且只有光生电子参与第一沟道信号的传输，从而可以大大提升HEMT的频率特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107196713A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710388405.0
申请日：2017-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: H04B10/60
CPC classification number: H04B10/60
Abstract: 本发明公开了一种基于光信号延时的光接收机和接收方法，包括光信号输入端口、光功率分配和延时模块、N路光电处理单元及数字电信号处理单元；光信号由光信号输入端口进入光功率分配和延时模块，然后输出N路光信号分别进入N路光电处理单元首先将电本振信号调制在光信号上然后进行光电转换，接着对每路电信号进行处理后，进行信号的模数转换，输出多路数字信号至数字电信号处理单元。本发明通过对输入光信号分配至多通道并分别延时，使这些多通道的采样时刻均匀交错来实现采样速率的N倍增加；另外，可以将光载波上的调制信号下变频，从而便于在较低的频率进行模数转换，有利于形成集成的高采样率的光信号输入和数字电信号输出的光接收机。
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公开(公告)号：CN107248536B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710312256.X
申请日：2017-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种基于量子阱结构的光开关器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层从上到下依次包括第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第二隔离层和第二势垒层。本发明的量子阱有源区具有两个导电沟道，因此在导电沟道中不存在光生电子‑空穴之间的库伦吸引而造成的载流子迁移率不高的问题，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时空穴不参与第一沟道的导电，从而避免了空穴迁移率低的问题，进而消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。本发明只有高迁移率的电子参与第一沟道信号的传输，从而可以提升光开关的速度和频率特性。
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公开(公告)号：CN107248535B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710304338.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光控HEMT及其控制方法，结合了增强型和耗尽型导电沟道，当合适的光信号入射到量子阱有源区时，第一沟道层中产生的电子‑空穴对可以在栅压电场的作用下迅速分离，电子处于第一沟道层中导通，空穴在电场作用下向第二沟道层漂移并与第二沟道层中的电子复合，消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。由于第一沟道导通的自由电子完全是由光照产生的，通过外加光信号控制第一沟道的截止与导通，无光照时第一沟道截止，有光照时第一沟道导通，因此本发明所述电子器件的开关完全是由光控制的，并且只有光生电子参与第一沟道信号的传输，从而可以大大提升HEMT的频率特性。
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公开(公告)号：CN107195711B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710304823.7
申请日：2017-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电混频HEMT，包括最下层的衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；其中所述量子阱有源层从上到下依次包括：第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、光吸收层、第二沟道层、第二隔离层、第二势垒层；在所述量子阱有源层的外表面设置源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极的中间，源极和漏极为欧姆接触。本发明有效缩短了空穴的运动距离，并且消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷，从而可以大大提升光电混频HEMT的频率特性。
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公开(公告)号：CN107248536A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710312256.X
申请日：2017-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/11
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种基于量子阱结构的光开关器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层从上到下依次包括第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第二隔离层和第二势垒层。本发明的量子阱有源区具有两个导电沟道，因此在导电沟道中不存在光生电子‑空穴之间的库伦吸引而造成的载流子迁移率不高的问题，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时空穴不参与第一沟道的导电，从而避免了空穴迁移率低的问题，进而消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。本发明只有高迁移率的电子参与第一沟道信号的传输，从而可以提升光开关的速度和频率特性。
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