一种带有主动抑制相位噪声电路的双环光电振荡器

    公开(公告)号:CN111953342A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010793916.2

    申请日:2020-08-10

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种带有主动抑制相位噪声电路的双环光电振荡器。利用双环光电振荡器自身结构中的长光纤与短光纤产生两路不同延时的信号,相位扰动检测电路对这两路信号进行处理,从而得到相位扰动信号。相位扰动信号经过反馈控制器后反馈到光电振荡器中的电控移相器,对双环光电振荡器中的相位扰动进行负反馈主动抑制,从而使得光电振荡器产生低相位噪声的微波信号。本发明充分利用双环光电振荡器自身的长光纤与短光纤构建相位扰动检测电路,无需额外的延时器件,结构简单。

    一种单行载流子光电混频器及电磁波相控阵天线接收前端

    公开(公告)号:CN109273552B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201811010367.6

    申请日:2018-08-31

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种单行载流子光电混频器和一种相控阵天线接收前端,所述单行载流子光电混频器从下到上依次叠加衬底、P型重掺杂下接触层、P型重掺杂电子阻挡层、光吸收层、收集层、N型重掺杂中间导电层、肖特基接触层、N型掺杂上势垒层、N型重掺杂上接触层。进一步地,所述光吸收层为渐变梯度掺杂。所述收集层与光吸收层之间还设有1层中度掺杂的InP崖层。本发明通过对材料和器件结构的设计,相较于传统的单行载流子光电二极管具备高速、大带宽的同时具有光电混频变频损耗低的优点,比光电三极管的带宽大且噪声低。

    带有数字锁相环与数控振荡器的测量相位噪声与幅度噪声的装置与方法

    公开(公告)号:CN111030684A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911289450.6

    申请日:2019-12-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了带有数字锁相环与数控振荡器的测量相位噪声与幅度噪声的装置及其实现方法。装置包括功分单元,两模拟下变频与数字化子系统,两数字锁相解调子系统和数据处理单元。待测信号分两路分别与模拟本振信号混频,通过滤波、放大、模数转换后将数字中频信号送入数字锁相解调子系统。数字中频信号分两路,其一输入至数字锁相环,使得跟踪数控振荡器与数字中频信号锁相,频率控制单元跟踪数控振荡器的频率、计算参考频率并控制数控振荡器输出频率、相位为参考频率、相位的数字正弦信号;另一路信号延时后与数控振荡器输出信号混频,后经幅相解调、滤波后送到数字处理单元通过互相关计算得到相位噪声谱与幅度噪声谱。本发明衰减小,精度高。

    基于多周期量子阱结构的HEMT器件

    公开(公告)号:CN106876444B

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201710126246.7

    申请日:2017-03-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件,包括衬底,衬底上生长缓冲层,缓冲层上生长量子阱有源层;量子阱有源层包括:势垒层、隔离层、沟道层和缺陷层;量子阱有源层上设置源极、漏极和栅极,栅极位于量子阱有源层的中间,源极和漏极位于量子阱有源层的两侧。本发明通过引入缺陷层俘获电子,使器件可以快速关断;通过生长多周期量子阱异质结,产生多个导电通道层,增加了器件的功率处理能力;通过使用台面结构,有效解决常规表面电极引起的内部电场弯曲问题,漏、源电压可以无差别的加载到多周期异质结两端;该器件的成功研发将使HEMT器件向更高频、高速、大功率领域发展。

    一种单行载流子光电混频器及电磁波相控阵天线接收前端

    公开(公告)号:CN109273552A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811010367.6

    申请日:2018-08-31

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种单行载流子光电混频器和一种相控阵天线接收前端,所述单行载流子光电混频器从下到上依次叠加衬底、P型重掺杂下接触层、P型重掺杂电子阻挡层、光吸收层、收集层、N型重掺杂中间导电层、肖特基接触层、N型掺杂上势垒层、N型重掺杂上接触层。进一步地,所述光吸收层为渐变梯度掺杂。所述收集层与光吸收层之间还设有1层中度掺杂的InP崖层。本发明通过对材料和器件结构的设计,相较于传统的单行载流子光电二极管具备高速、大带宽的同时具有光电混频变频损耗低的优点,比光电三极管的带宽大且噪声低。

    一种低噪声直流电压源
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106200745A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610567747.4

    申请日:2016-07-19

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 杨春 蒋小凡

    CPC classification number: G05F1/565

    Abstract: 本发明公开了一种低噪声直流电压源,包括串联的稳压源和LC网络,其特征在于:还包括与LC网络并联的前馈补偿网络,所属前馈补偿网络将稳压源的噪声在输出端与原噪声反相相加。本发明通过LC网络起到降低噪声的作用,同时可以稳定电路电压;其次利用前馈补偿网络将稳压源的噪声反相,然后在输出端再与稳压源噪声相加,进一步降低电源噪声。

    一种电子装置残余相位噪声的检测方法及其装置

    公开(公告)号:CN103197160A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310080252.5

    申请日:2013-03-14

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 杨春

    Abstract: 一种电子装置残余相位噪声的检测方法及其装置。方法:取N个电子信号源,将每个电子信号源的信号分成两个部分,其中的一部分合波,输到被测电子装置中,将被测电子装置的电子输出信号分成N路,与N个电子信号源的另一部分混频,再输入至互相关信号处理器,用互相关信号处理器进行分析,得残余相位噪声测量结果,互相关处理后得到功率谱,计算出残余相位噪声。装置含N个不同频率的电子信号源、N个混频器及互相关信号处理器,各电子信号源的输出端上连功分器,其第一输出信号输至混频器,各功分器的第二输出端上的输出信号耦合后输至被测电子装置,将各个功分器E的输出信号分别作为各个混频器的另一个输入信号,最后输出至互相关信号处理器。

    并行光互连集成电路芯片

    公开(公告)号:CN1471169A

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN02137995.5

    申请日:2002-07-23

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 杨春

    Abstract: 本发明是一种并行光互连集成电路芯片,包括芯片基体,在芯片基体上设有电路单元,在芯片基体上设有光电转换单元,光电转换单元与电路单元的相应接点相连。本发明中的光电转换单元的芯片可以用光作为信息载体输出或输入信号,与电互连相比,具有更大的信号带宽且不受电磁干扰的影响。在最近邻的光电转换单元的间距相同的情况下,采用六角密排结构的芯片在单位面积上光电转换单元的数量多于其他排列结构的芯片,从而可以在有限尺寸的芯片上制作更多的光电转换单元,从而可以提供更多的信号通道数量。

    塑料光纤的管式加热拉锥方法

    公开(公告)号:CN1095426C

    公开(公告)日:2002-12-04

    申请号:CN00112139.1

    申请日:2000-03-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于光纤拉锥的塑料光纤的管式加热拉锥方法,其方法是用管式加热器对塑料光纤的拉锥处进行加热,待塑料光纤拉锥处的温度大于光纤玻璃化转变温度而小于光纤的分解温度时,对塑料光纤进行拉伸直至拉锥处形成锥体。本发明能使拉锥在温度均匀的状态下进行,提高了光纤拉锥的成形精度。

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