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公开(公告)号：CN114758939B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210378551.6
申请日：2022-04-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种用于透射电镜表征的热、电场耦合型密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括第一硅衬底、在第一硅衬底上表面和下表面的介质层、沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极、电场电极以及隔离层；制作基板芯片上的第一观察窗口；顶板芯片包括第二硅衬底，第二硅衬底上表面和下表面的介质层，制作顶板芯片上的第二观察窗口。将样品置于基板芯片的观察窗口区，基板芯片与顶板芯片粘合，放入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。本发明不仅能够实现在密封腔中对样品进行加热，还能同步在局部施加额外电场，有助于在透射电镜原位表征过程中实时观察材料在电场诱导下的动态生长过程。
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公开(公告)号：CN115557462A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211221695.7
申请日：2022-10-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种具备气压传感功能的原位加热芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括：硅衬底，沉积在硅衬底上表面和下表面的介质层，沉积在上表面介质层的接触电极、加热电极、电容极板以及支撑柱，位于加热电极中心的观察窗口，从衬底下方刻蚀的镂空区，镂空区覆盖观察窗口；顶板芯片包括：硅衬底，沉积在硅衬底上表面和下表面的介质层，沉积在上表面介质层的电容极板、接触电极以及支撑柱，从衬底下方刻蚀的镂空区，镂空区覆盖观察窗口。将用于观察的样品根据需求置于基板芯片的观察窗口区。将顶板和基板按照支撑柱图案对准接触并进行粘合封装，放入匹配的透射电镜样品杆中，能测量不同加热条件下气体在密封腔中压强的变化规律。
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公开(公告)号：CN118412300A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410304936.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种TEM气氛芯片专用封装装置及其使用方法，装置包括：芯片装载模块、四轴高精度移位台、密封腔模块和气氛环境控制模块；芯片装载模块用于装载底板芯片和顶板芯片，并设有加热片；四轴高精度移位台用于控制底板芯片装载片沿x轴、y轴精密移动以及在xy平面内转动，控制顶板芯片装载片沿z轴上下精密移动；密封腔模块用于给芯片装载模块和四轴高精度移位台提供密封环境，并设有顶部透明观察窗用于搭配超清显微镜进行实时观察；气氛环境控制模块用于给密封腔模块提供气氛环境。本发明采用压电模块进行四轴高精度移位，借助光学显微镜进行可视化可控化操作，在密封腔模块中进行气氛封装，大大提高了封装特种芯片的质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN114758939A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210378551.6
申请日：2022-04-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种用于透射电镜表征的热、电场耦合型密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括第一硅衬底、在第一硅衬底上表面和下表面的介质层、沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极、电场电极以及隔离层；制作基板芯片上的第一观察窗口；顶板芯片包括第二硅衬底，第二硅衬底上表面和下表面的介质层，制作顶板芯片上的第二观察窗口。将样品置于基板芯片的观察窗口区，基板芯片与顶板芯片粘合，放入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。本发明不仅能够实现在密封腔中对样品进行加热，还能同步在局部施加额外电场，有助于在透射电镜原位表征过程中实时观察材料在电场诱导下的动态生长过程。
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