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公开(公告)号：CN117841487A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410088078.7
申请日：2024-01-22
申请人： 东北师范大学
摘要： 本发明公开了一种三明治结构磁性碳纤维海绵材料及其制备方法与应用，属于电磁隐身技术领域，该海绵材料包括两层海绵及贴合于两层海绵之间的电磁吸收层；所述海绵及电磁吸收层均包括Fe@C纳米纤维。其制备方法包括以下步骤：利用氧等离子处理所述海绵和电磁吸收层后进行贴合，即得到所述三明治结构磁性碳纤维海绵材料。本发明还公开了该三明治结构磁性碳纤维海绵材料在电磁隐身中的应用。相比于单纯磁性碳纤维，本发明中的三明治结构海绵材料展现出了更好的微波吸收性能和轻质特性，且制备工序简单，有利于商业化推广使用。
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公开(公告)号：CN111129294A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911228673.1
申请日：2019-12-04
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法，属于微电子器件领域。所述阻变存储器的器件结构包括惰性底电极和顶电极金属钨，以及介于二者之间的自供电层和阻变层。其中，自供电层是经过氧等离子体处理的非晶碳薄膜，薄膜内部含有大量氧官能团；当顶电极金属钨沉积于非晶碳薄膜上时，在界面位置金属钨会与氧官能团结合，自发形成阻变层WOx薄膜。由于器件高阻态与低阻态出现的同时伴随着非晶碳薄膜中氧官能团梯度的减小和增加，利用湿度监测自生电压的高值与低值来读取器件的电阻存储状态。该发明有助于替代存储器使用电压读取存储状态的传统方式，提供了一种湿度自供电读取存储状态的新方式。
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公开(公告)号：CN107394040B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710584338.X
申请日：2017-07-18
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法，包括底电极，电阻转变层，银的固体电解质材料缓冲层，顶电极，所述电阻转变层设在底电极上；所述的银的固体电解质材料缓冲层设在电阻转变层上；所述的顶电极设在银的固体电解质材料缓冲层上；本发明的制备方法简易，批量生产成本低；本发明制备的器件减小操作电压，而且抑制开启时通道过量生长，提高产出量，提升循环均一性，该器件可以应用于阻变式存储器领域和人工神经网络领域。
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公开(公告)号：CN116096209A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211604989.8
申请日：2022-12-14
申请人： 东北师范大学
摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于阈值开关忆阻器的真随机数发生器(TRNG)及其制备方法。基于有机材料的TRNG并且利用特定官能团和离子之间相互作用的内在变化作为熵源，将弛豫时间中物理过程的变化视为一种内部随机性。此外，TRNG中的随机密钥还可以用来对图像信息进行加密。本发明电路设计简单，能耗低，为物联网时代提供了硬件安全解决方案。
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公开(公告)号：CN115843216A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211450528.X
申请日：2022-11-18
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明属于微电子材料与器件技术领域，公开了一种基于等离子体共振效应的多波长调控忆阻器件及制备方法。所述忆阻器件包括透明底电极、光电忆阻层和惰性顶电极，光电忆阻层设置在透明底电极和惰性顶电极之间。本发明通过将氧化硅/银材料体系引入到光控忆阻器件中，该材料中的银纳米颗粒在可见光照射下发生等离子体共振效应在复合薄膜中产生Ag+，避免了电驱动银氧化的过程。通过调整不同波段的可见光照射器件，可以避免电流超调问题并且逐渐降低设定电压。所述忆阻器件为两端结构，结构简单，易于集成，器件尺寸可降至纳米量级，借助可见光信号能够实现对阻变性能的调节，为实现光电神经形态计算系统提供了器件基础。
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公开(公告)号：CN107394040A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710584338.X
申请日：2017-07-18
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法，包括底电极，电阻转变层，银的固体电解质材料缓冲层，顶电极，所述电阻转变层设在底电极上；所述的银的固体电解质材料缓冲层设在电阻转变层上；所述的顶电极设在银的固体电解质材料缓冲层上；本发明的制备方法简易，批量生产成本低；本发明制备的器件减小操作电压，而且抑制开启时通道过量生长，提高产出量，提升循环均一性，该器件可以应用于阻变式存储器领域和人工神经网络领域。
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公开(公告)号：CN117841487B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410088078.7
申请日：2024-01-22
申请人： 东北师范大学
摘要： 本发明公开了一种三明治结构磁性碳纤维海绵材料及其制备方法与应用，属于电磁隐身技术领域，该海绵材料包括两层海绵及贴合于两层海绵之间的电磁吸收层；所述海绵及电磁吸收层均包括Fe@C纳米纤维。其制备方法包括以下步骤：利用氧等离子处理所述海绵和电磁吸收层后进行贴合，即得到所述三明治结构磁性碳纤维海绵材料。本发明还公开了该三明治结构磁性碳纤维海绵材料在电磁隐身中的应用。相比于单纯磁性碳纤维，本发明中的三明治结构海绵材料展现出了更好的微波吸收性能和轻质特性，且制备工序简单，有利于商业化推广使用。
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公开(公告)号：CN114497117A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210057163.8
申请日：2022-01-19
申请人： 东北师范大学
摘要： 本发明公开了一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法，该堆叠忆阻器包括模拟型忆阻器和阈值型忆阻器，模拟型忆阻器包括顶电极Au、阻变层氧化钨(WOX)薄膜及底电极W；阈值型忆阻器包括顶电级W、阻变层银掺杂卡胶(Ag:ι‑car)薄膜及底电极Pt。该在堆叠忆阻器单个Au/氧化钨/W/银掺杂卡胶(Ag:ι‑car)/Pt/Ti/SiO2/Si忆阻器件中演示了人工神经元的LIF行为，通过调整施加脉冲的间隔和幅值，实现了人工神经元的全无尖峰、阈值驱动、不应期和频率强度调制。同时，该人工神经元电路设计简单，功耗低。
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公开(公告)号：CN114464732A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210084878.2
申请日：2022-01-25
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法，所述全光控忆阻器件从下往上依次为SiO2衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoOx薄膜层和透明电极，所述ZnO薄膜层和MoOx薄膜层共同组成了全光控忆阻器件的光电忆阻层，构成具有一定势垒宽度的异质结结构。本发明的全光控忆阻器件可以通过调控ZnO/MoOx异质结的势垒宽度，在紫外光和绿光的调控下实现光门控的可逆激活和抑制。本发明的全光控忆阻器件作为两端器件，结构简单、易于制备、具有可集成性，利用紫外光和绿光的可逆调控可以实现在全光控制下对器件的可逆调制。在视觉感存算一体技术的研究中具有良好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117923489A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410088062.6
申请日：2024-01-22
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： C01B32/348 , C01B32/324 , H01Q15/00
摘要： 本发明公开了一种氮掺杂分级多孔碳材料及其制备方法与应用，属于电磁隐身技术领域，该氮掺杂分级多孔碳材料以香蕉皮为碳源，通过异质氮原子掺杂和多孔结构构筑得到。其制备方法包括以下步骤：将预处理后的香蕉皮与尿素混合后进行水热反应，再将所得氮掺杂碳基前驱体与致孔剂混合后在惰性气氛下进行退火处理，即得到所述氮掺杂分级多孔碳材料。本发明还公开了该氮掺杂分级多孔碳材料在电磁隐身中的应用。本发明实现了“薄、轻、宽、强”的吸波效果。相比于利用CVD法进行氮掺杂，本发明以更简单高效的策略实现了可控的氮掺杂，有利于商业化推广使用。
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