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公开(公告)号：CN113416076A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110934914.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明的一种自增强碳化硅陶瓷材料的制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域，制备步骤如下：按质量百分比α‑SiC粉体：β‑SiC粉体：B4C粉体：炭＝(92％‑94％)：(1％‑3％)：(1％‑3％)：(2％‑4％)，称取α‑SiC粉体、β‑SiC粉体、B4C粉体和炭；原料经混匀干燥过筛后，压制成型，获得素坯；将素坯置于真空管式炉中，进行碳化处理，碳化温度为600‑900℃；碳化后试样经无压烧结后，冷却，制得自增强碳化硅陶瓷材料。该方法通过向α‑SiC粉体中复配不同粒径尺寸的β‑SiC粉体，以制备出具有高密度，高强度，高硬度且组织均匀的固相无压烧结碳化硅陶瓷材料，提高无压烧结碳化硅陶瓷材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN108409328B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810246408.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113548666A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110940019.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/956
Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺，属于碳化硅除铁技术领域，包括步骤如下：将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05～0.2mol/L的酸洗剂溶液中，进行超声辅助搅拌酸洗，超声功率为180W～270W，获得酸洗浆料；酸洗浆料经去离子水反复冲洗，获得水洗后SiC粉体；水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式，由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生，并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流，提高粉体在酸液中的扩散性及分散性，以解决亚微米级SiC粉体极易团聚，在水中不易分散的技术问题，进而提高化学反应速率，且大幅提高粉体中铁的去除率。
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公开(公告)号：CN108409328A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810246408.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN115124326B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210949440.6
申请日：2022-08-09
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种网状TiC/ZTA导电陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域，本发明通过特殊的混料方法来控制TiC的含量和分布，用无压烧结的方法制备低TiC含量的网状TiC/ZTA导电陶瓷复合材料，具体步骤包括：将一定量的TiC粉末加入到溶剂中，搅拌，使TiC在溶剂中分散均匀，得到TiC浆料；用分散好的TiC浆料对ZTA造粒粉体进行浸渍处理，得到TiC/ZTA复合粉体的浆料；将TiC/ZTA复合粉体的浆料烘干，破碎后过筛，得到TiC/ZTA复合粉体；取TiC/ZTA复合粉体填入模具中，压制成坯体；将坯体烘干去除水分，然后进行无压烧结，得到网状TiC/ZTA导电陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN113548666B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202110940019.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/956
Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺，属于碳化硅除铁技术领域，包括步骤如下：将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05～0.2mol/L的酸洗剂溶液中，进行超声辅助搅拌酸洗，超声功率为180W～270W，获得酸洗浆料；酸洗浆料经去离子水反复冲洗，获得水洗后SiC粉体；水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式，由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生，并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流，提高粉体在酸液中的扩散性及分散性，以解决亚微米级SiC粉体极易团聚，在水中不易分散的技术问题，进而提高化学反应速率，且大幅提高粉体中铁的去除率。
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公开(公告)号：CN115124326A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210949440.6
申请日：2022-08-09
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种网状TiC/ZTA导电陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域，本发明通过特殊的混料方法来控制TiC的含量和分布，用无压烧结的方法制备低TiC含量的网状TiC/ZTA导电陶瓷复合材料，具体步骤包括：将一定量的TiC粉末加入到溶剂中，搅拌，使TiC在溶剂中分散均匀，得到TiC浆料；用分散好的TiC浆料对ZTA造粒粉体进行浸渍处理，得到TiC/ZTA复合粉体的浆料；将TiC/ZTA复合粉体的浆料烘干，破碎后过筛，得到TiC/ZTA复合粉体；取TiC/ZTA复合粉体填入模具中，压制成坯体；将坯体烘干去除水分，然后进行无压烧结，得到网状TiC/ZTA导电陶瓷样品。
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