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公开(公告)号：CN114671703A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210355171.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/636 , C04B35/624 , C04B35/622 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种碳化硅等级孔陶瓷的制备方法，属于材料技术领域。制备时，将SiC粉体、B4C粉体、CB粉体和淀粉粉体球磨混合，干燥研磨过筛；倒入溶有分散剂的水溶液中，搅拌均匀，配制混合粉体悬浮液，加入硼酸，尿素，氨水，氢氧化钾或异丙醇凝胶引发剂，搅拌均匀后，静置反应；加入流变性能调节剂，搅拌后进行高速球磨，制得用于自由直写成型技术的SiC陶瓷浆料；将SiC陶瓷浆料挤出，逐层沉积完成后，烘干去除水分，真空下高温烧结，制得碳化硅等级孔陶瓷。相应孔尺寸和孔隙率的可调控范围均远高于现有报道，且能够使得SiC陶瓷浆料具有相比于现有体系更高的粘弹性，更好的稳定性，经7天以上时间保存后，仍然能够从较细的喷嘴中高速挤出。
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公开(公告)号：CN113548666B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202110940019.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/956
Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺，属于碳化硅除铁技术领域，包括步骤如下：将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05～0.2mol/L的酸洗剂溶液中，进行超声辅助搅拌酸洗，超声功率为180W～270W，获得酸洗浆料；酸洗浆料经去离子水反复冲洗，获得水洗后SiC粉体；水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式，由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生，并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流，提高粉体在酸液中的扩散性及分散性，以解决亚微米级SiC粉体极易团聚，在水中不易分散的技术问题，进而提高化学反应速率，且大幅提高粉体中铁的去除率。
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公开(公告)号：CN115010496A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210777050.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/573 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 本发明的一种性能可控的B4C‑金刚石复合材料的制备方法，属于复合材料制备技术领域。步骤为：按质量比，碳化硼粉体：金刚石：酚醛树脂＝0.8:(0.1‑0.2):(0‑0.1)，将三者湿混获得混合物料，烘干后研磨过筛，模压成型后，干燥碳化获得B4C‑金刚石‑C素坯；将B4C‑金刚石‑C素坯置于石墨坩埚中，上方铺单质硅粒，真空环境下升温至1450℃～1650℃，保温进行低温熔渗或高温熔渗，随炉冷却后制得高硬高耐磨B4C‑金刚石复合材料(低温熔渗)，或高抗弯强度B4C‑金刚石复合材料(高温熔渗)。本发明通过对原料配比、熔渗温度、熔渗时间等参数控制，能够实现对金刚石与Si反应的有效控制，从而能够制备出性能优良、可控的反应烧结B4C‑金刚石复合材料。
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公开(公告)号：CN111875404A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010742002.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/624 , C04B35/64 , B28B1/00 , B28B1/24 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种应用于自由直写成形技术的碳化硅浆料制备方法，属于材料技术领域，具体步骤如下：(1)将SiC粉体与烧结助剂通过球磨均匀混合；(2)将球磨后所得的悬浮液置于恒温烘箱中干燥后，研磨，过筛；(3)将过筛后的粉体倒入溶有分散剂的水溶液中制成溶胶态陶瓷悬浮液，并高速搅拌；(4)调节pH值并加入增稠剂，搅拌；(5)将搅拌后的浆料球磨，制得应用于自由直写的SiC陶瓷浆料。本发明的方法步骤简单、对设备要求相对较低，所配制的浆料能够满足自由直写成形对于浆料的流变性能要求，且能够生产各种形状复杂的多孔SiC陶瓷产品。
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公开(公告)号：CN114671703B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210355171.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/636 , C04B35/624 , C04B35/622 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种碳化硅等级孔陶瓷的制备方法，属于材料技术领域。制备时，将SiC粉体、B4C粉体、CB粉体和淀粉粉体球磨混合，干燥研磨过筛；倒入溶有分散剂的水溶液中，搅拌均匀，配制混合粉体悬浮液，加入硼酸，尿素，氨水，氢氧化钾或异丙醇凝胶引发剂，搅拌均匀后，静置反应；加入流变性能调节剂，搅拌后进行高速球磨，制得用于自由直写成型技术的SiC陶瓷浆料；将SiC陶瓷浆料挤出，逐层沉积完成后，烘干去除水分，真空下高温烧结，制得碳化硅等级孔陶瓷。相应孔尺寸和孔隙率的可调控范围均远高于现有报道，且能够使得SiC陶瓷浆料具有相比于现有体系更高的粘弹性，更好的稳定性，经7天以上时间保存后，仍然能够从较细的喷嘴中高速挤出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111875404B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010742002.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/624 , C04B35/64 , B28B1/00 , B28B1/24 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种应用于自由直写成形技术的碳化硅浆料制备方法，属于材料技术领域，具体步骤如下：(1)将SiC粉体与烧结助剂通过球磨均匀混合；(2)将球磨后所得的悬浮液置于恒温烘箱中干燥后，研磨，过筛；(3)将过筛后的粉体倒入溶有分散剂的水溶液中制成溶胶态陶瓷悬浮液，并高速搅拌；(4)调节pH值并加入增稠剂，搅拌；(5)将搅拌后的浆料球磨，制得应用于自由直写的SiC陶瓷浆料。本发明的方法步骤简单、对设备要求相对较低，所配制的浆料能够满足自由直写成形对于浆料的流变性能要求，且能够生产各种形状复杂的多孔SiC陶瓷产品。
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公开(公告)号：CN113548666A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110940019.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/956
Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺，属于碳化硅除铁技术领域，包括步骤如下：将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05～0.2mol/L的酸洗剂溶液中，进行超声辅助搅拌酸洗，超声功率为180W～270W，获得酸洗浆料；酸洗浆料经去离子水反复冲洗，获得水洗后SiC粉体；水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式，由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生，并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流，提高粉体在酸液中的扩散性及分散性，以解决亚微米级SiC粉体极易团聚，在水中不易分散的技术问题，进而提高化学反应速率，且大幅提高粉体中铁的去除率。
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公开(公告)号：CN115010496B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210777050.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/573 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 本发明的一种性能可控的B4C‑金刚石复合材料的制备方法，属于复合材料制备技术领域。步骤为：按质量比，碳化硼粉体：金刚石：酚醛树脂＝0.8:(0.1‑0.2):(0‑0.1)，将三者湿混获得混合物料，烘干后研磨过筛，模压成型后，干燥碳化获得B4C‑金刚石‑C素坯；将B4C‑金刚石‑C素坯置于石墨坩埚中，上方铺单质硅粒，真空环境下升温至1450℃～1650℃，保温进行低温熔渗或高温熔渗，随炉冷却后制得高硬高耐磨B4C‑金刚石复合材料(低温熔渗)，或高抗弯强度B4C‑金刚石复合材料(高温熔渗)。本发明通过对原料配比、熔渗温度、熔渗时间等参数控制，能够实现对金刚石与Si反应的有效控制，从而能够制备出性能优良、可控的反应烧结B4C‑金刚石复合材料。
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公开(公告)号：CN115745613A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210911099.5
申请日：2022-11-15
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B41/85 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及一种低成本碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，其包括S1、将硼酸粉体与炭黑混合均匀，模压成型后进行预脱水；S2、将预脱水后的粉体进行碳热还原反应，合成碳化硼或碳化硼‑C粉体；S3、将步骤S2合成的粉体与粘结剂混合均匀，模压成型，干燥后获得多孔陶瓷素坯；S4、将素坯作为骨架，以硅作为熔渗剂，进行真空熔渗，获得碳化硼陶瓷复合材料。本发明的制备方法步骤简单、熔渗温度低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的碳化硼陶瓷复合材料，该材料体积密度较低，综合力学性能优良的特点，生产成本低而且工艺简单、熔渗温度较低、制备周期短、效率高；并且本发明的制备方法能够生产各种形状复杂的产品。
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公开(公告)号：CN113416076A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110934914.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明的一种自增强碳化硅陶瓷材料的制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域，制备步骤如下：按质量百分比α‑SiC粉体：β‑SiC粉体：B4C粉体：炭＝(92％‑94％)：(1％‑3％)：(1％‑3％)：(2％‑4％)，称取α‑SiC粉体、β‑SiC粉体、B4C粉体和炭；原料经混匀干燥过筛后，压制成型，获得素坯；将素坯置于真空管式炉中，进行碳化处理，碳化温度为600‑900℃；碳化后试样经无压烧结后，冷却，制得自增强碳化硅陶瓷材料。该方法通过向α‑SiC粉体中复配不同粒径尺寸的β‑SiC粉体，以制备出具有高密度，高强度，高硬度且组织均匀的固相无压烧结碳化硅陶瓷材料，提高无压烧结碳化硅陶瓷材料的综合性能。
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