公开(公告)号：CN109887706B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201910273164.4

申请日：2019-04-04

Applicant: 东北大学 ,  沈阳东大新兴产业技术研究院有限公司

Inventor： 李国建 ,  常玲 ,  刘诗莹 ,  刘晓明 ,  王强

IPC: H01F10/00 ,  H01F10/14 ,  H01F41/32

Abstract: 一种磁性纳米颗粒复合膜及其制备方法，属于薄膜材料磁性控制技术领域。一种磁性纳米颗粒复合膜，所述复合膜由磁性层和绝缘层连续交替沉积而成，复合膜厚度为15～100nm；所述磁性层是由磁性颗粒均匀嵌入绝缘介质中形成的层膜，所述磁性颗粒成分为Fe或Fe‑Ni，磁性颗粒体积分数为80～95％，磁性层厚度为1～20nm；所述绝缘层是由绝缘介质组成，厚度为0.1～10nm。本发明所制备的磁性纳米颗粒复合膜能够控制纳米颗粒的合并生长、颗粒大小及分布均匀性等，从而在晶粒细化的同时实现磁性的提高。使用此发明所制备的复合膜特别适用于数字化电子工业和通信技术领域的电子元器件。

公开(公告)号：CN110344015A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910775352.7

申请日：2019-08-21

Applicant: 东北大学

Inventor： 李国建 ,  兰明迪 ,  刘诗莹 ,  刘晓明 ,  吕汶璋 ,  王强

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种脉冲电场辅助的薄膜制备或处理的装置及方，脉冲电场下制备薄膜材料，所述制备方式是将物理气相沉积方法与脉冲电场相结合，利用脉冲电场下产生的焦耳热效应代替传统加热方式；脉冲电场下氧化处理薄膜材料，所述处理方式是在大气条件下便可以实现薄膜材料的氧化处理，并且处理时间短，温度要求低，无需真空高氧环境便可实现；脉冲电场热处理薄膜材料，所述处理方式主要是利用脉冲电流发生器形成的脉冲电场对已制备电薄膜进行热处理。在脉冲电场制备薄膜材料时由于脉冲电场可以瞬时升温、降温，所以在制备过程中将改变薄膜微观结构以及性能。

公开(公告)号：CN109887706A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910273164.4

申请日：2019-04-04

Applicant: 东北大学 ,  沈阳东大新兴产业技术研究院有限公司

Inventor： 李国建 ,  常玲 ,  刘诗莹 ,  刘晓明 ,  王强

IPC: H01F10/00 ,  H01F10/14 ,  H01F41/32

Abstract: 一种磁性纳米颗粒复合膜及其制备方法，属于薄膜材料磁性控制技术领域。一种磁性纳米颗粒复合膜，所述复合膜由磁性层和绝缘层连续交替沉积而成，复合膜厚度为15～100nm；所述磁性层是由磁性颗粒均匀嵌入绝缘介质中形成的层膜，所述磁性颗粒成分为Fe或Fe-Ni，磁性颗粒体积分数为80～95％，磁性层厚度为1～20nm；所述绝缘层是由绝缘介质组成，厚度为0.1～10nm。本发明所制备的磁性纳米颗粒复合膜能够控制纳米颗粒的合并生长、颗粒大小及分布均匀性等，从而在晶粒细化的同时实现磁性的提高。使用此发明所制备的复合膜特别适用于数字化电子工业和通信技术领域的电子元器件。

公开(公告)号：CN109594045A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710918501.1

申请日：2017-09-30

Applicant: 东北大学

Inventor： 王强 ,  刘诗莹 ,  李国建 ,  贾宝海 ,  王凯

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  H01B3/10

Abstract: 本发明涉及一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用，属于半导体集成器件及压敏器件技术领域。一种高击穿电压ZnO:X薄膜的制备方法，所述方法采用射频等离子体活化源辅助共沉积方法于基底上沉积ZnO:X薄膜，具体为：将高纯O2通入射频等离子体活化源，氧气流量为1.5～2.0SCCM，射频等离子体活化源的工作功率为250～450W；将Zn金属和X金属作为源材料进行共沉积，基底温度为室温～800℃，真空度为(2～3.5)×10-3Pa，沉积时间为10～120min；利用上述方法制得的薄膜在可见光范围内的透光率为80～100％，电阻率在106～108Ω·m范围内，击穿电压在7000～8000V/mm范围内。

公开(公告)号：CN110344015B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201910775352.7

申请日：2019-08-21

Applicant: 东北大学

Inventor： 李国建 ,  兰明迪 ,  刘诗莹 ,  刘晓明 ,  吕汶璋 ,  王强

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种脉冲电场辅助的薄膜制备或处理的装置及方，脉冲电场下制备薄膜材料，所述制备方式是将物理气相沉积方法与脉冲电场相结合，利用脉冲电场下产生的焦耳热效应代替传统加热方式；脉冲电场下氧化处理薄膜材料，所述处理方式是在大气条件下便可以实现薄膜材料的氧化处理，并且处理时间短，温度要求低，无需真空高氧环境便可实现；脉冲电场热处理薄膜材料，所述处理方式主要是利用脉冲电流发生器形成的脉冲电场对已制备电薄膜进行热处理。在脉冲电场制备薄膜材料时由于脉冲电场可以瞬时升温、降温，所以在制备过程中将改变薄膜微观结构以及性能。

公开(公告)号：CN110196460A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910544936.3

申请日：2019-06-21

Applicant: 东北大学

Inventor： 李国建 ,  刘晓明 ,  任志宇 ,  刘诗莹 ,  王强

IPC: G02B1/00 ,  G02B5/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 一种与可见光隐身兼容的红外隐身金属纳米颗粒超材料复合膜及其制备方法，属于薄膜材料红外隐身技术领域。所述复合膜由尺寸为5nm～20nm的金属纳米颗粒均匀地排列在氧化物基底中，金属纳米颗粒是尺寸均一的，尺寸变化为1％～5％，复合膜厚度为20nm～200nm。所述金属，是Al、Ti、Au、Ag、Cu等金属和由这些金属组成的合金，所述氧化物，是SiO2、SiO、Al3O2、TiO2等非金属氧化物。本发明所制备的金属纳米颗粒超材料复合膜能够实现金属纳米颗粒尺寸大小可控、间隙可调、排布整齐等，在厚度仅为200nm时，红外波段反射率高达99％，可见波段的反射率低至30％，实现了可见光隐身和红外隐身的兼容。