-
公开(公告)号：CN109594045A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710918501.1
申请日：2017-09-30
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用，属于半导体集成器件及压敏器件技术领域。一种高击穿电压ZnO:X薄膜的制备方法，所述方法采用射频等离子体活化源辅助共沉积方法于基底上沉积ZnO:X薄膜，具体为：将高纯O2通入射频等离子体活化源，氧气流量为1.5～2.0SCCM，射频等离子体活化源的工作功率为250～450W；将Zn金属和X金属作为源材料进行共沉积，基底温度为室温～800℃，真空度为(2～3.5)×10-3Pa，沉积时间为10～120min；利用上述方法制得的薄膜在可见光范围内的透光率为80～100％，电阻率在106～108Ω·m范围内，击穿电压在7000～8000V/mm范围内。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
