-
公开(公告)号：CN114649235A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111500173.6
申请日：2021-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本公开说明一种基板处理方法和基板处理装置，在对形成于基板的表面的金属多晶膜进行蚀刻处理时，能够有效地去除蚀刻残渣。基板处理方法包括以下工序：第一工序，一边使表面形成有金属多晶膜的基板旋转一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第二工序，一边使基板旋转，一边向比第一工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；第三工序，一边使基板旋转，一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第四工序，一边使基板旋转，一边向比第三工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；以及第五工序，在第四工序之后，使基板干燥。
Search Results
1
records
(took 0.02 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
