公开(公告)号：CN119278501A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380043536.9

申请日：2023-05-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后藤京成

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明说明能够更高精度地对基片的周缘部进行处理的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质。基片处理装置包括：旋转保持部，其保持基片并使其旋转；处理液供给部，其对基片的周缘部供给处理液；加热部，其对包含基片的中心部的区域进行加热；周缘加热部，其对基片的周缘部进行加热；和控制部。控制部执行：第一处理，控制旋转保持部来使基片旋转；第二处理，控制处理液供给部，来对旋转中的基片的周缘部供给处理液；和第三处理，至少对向基片的周缘部供给处理液的期间，控制加热部和周缘加热部，对包含基片的中心部的区域和基片的周缘部进行加热，以使得包含基片的中心部的区域的温度与基片的周缘部的温度之差处于规定的范围内。

公开(公告)号：CN114649235A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111500173.6

申请日：2021-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田阳 ,  后藤京成 ,  麻生裕树 ,  齐木大辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开说明一种基板处理方法和基板处理装置，在对形成于基板的表面的金属多晶膜进行蚀刻处理时，能够有效地去除蚀刻残渣。基板处理方法包括以下工序：第一工序，一边使表面形成有金属多晶膜的基板旋转一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第二工序，一边使基板旋转，一边向比第一工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；第三工序，一边使基板旋转，一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第四工序，一边使基板旋转，一边向比第三工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；以及第五工序，在第四工序之后，使基板干燥。