公开(公告)号：CN119340263A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410926782.5

申请日：2024-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三村勇之 ,  鸟野崇 ,  野田隆广 ,  道中悟志

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够抑制接合强度的下降。接合方法包括：准备具有第一面的第一半导体基板和具有第二面的第二半导体基板；使第一半导体基板的第一面和第二半导体基板的第二面亲水化；在进行亲水化之后，将第一半导体基板的第一面与第二半导体基板的第二面进行接合；以及在进行接合之后，通过对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理来提高第一半导体基板与第二半导体基板之间的接合强度，其中，提高接合强度包括：在第一温度范围内对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理；以及在第一温度范围内进行热处理之后，以目标温度对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理，其中，第一温度范围是比目标温度低的温度范围。

公开(公告)号：CN112925178A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011346508.9

申请日：2020-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西山淳 ,  池田文彦 ,  野田隆广 ,  井本直树

IPC: G03F7/30

Abstract: 本发明提供能够提高基片的电路图案的精度的基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括输送机构、改性装置和显影装置。输送机构平流地输送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片。改性装置对由输送机构输送的基片进行抗蚀剂膜的改性处理。显影装置对进行了改性处理且由输送机构输送的基片进行显影处理。改性装置包括供给处理部、改性清洗处理部和改性干燥处理部。供给处理部将改性液供给到基片。改性清洗处理部对被供给了改性液的基片供给冲洗液，对基片进行清洗。改性干燥处理部从基片除去冲洗液，使基片干燥。