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公开(公告)号：CN118974915A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032854.5
申请日：2023-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/544
Abstract: 一种用于制造形成半导体封装件的方法，包括在载体衬底中或上形成多个对准标记；基于多个对准标记将多个半导体晶粒定位并键合到载体衬底上；将该多个半导体晶粒进一步加工成重构晶片；以及使用激光源在界面处将重构晶片与载体衬底解耦。这些对准标记被插入在界面与激光源之间。
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