公开(公告)号：CN117397001A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280037723.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原义久 ,  堤义弘 ,  山下阳平

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种基板处理方法，包括以下(A)至(D)。(A)准备层叠基板，所述层叠基板依次包括第一基板、吸收激光的第一吸收层、对所述激光的吸收系数高于所述第一吸收层的第二吸收层、器件层和第二基板。(B)对所述第一基板，从与所述第二基板相反的一侧照射所述激光。(C)将透过所述第一基板的所述激光照射到所述第一吸收层上，在所述第一吸收层上形成改性层。(D)以所述改性层为起点，将所述第一基板与所述第二基板剥离。

公开(公告)号：CN118974915A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380032854.5

申请日：2023-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 凯文·瑞安 ,  相泽宏一 ,  前川薰 ,  星野聪彦 ,  堤义弘

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/544

Abstract: 一种用于制造形成半导体封装件的方法，包括在载体衬底中或上形成多个对准标记；基于多个对准标记将多个半导体晶粒定位并键合到载体衬底上；将该多个半导体晶粒进一步加工成重构晶片；以及使用激光源在界面处将重构晶片与载体衬底解耦。这些对准标记被插入在界面与激光源之间。

公开(公告)号：CN116783684A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280010534.5

申请日：2022-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原义久 ,  堤义弘 ,  山下阳平

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种附带芯片的基板的制造方法，包括以下的(A)～(B)。(A)准备叠层基板，该叠层基板包括多个芯片、暂时地接合有多个所述芯片的第一基板、以及经由多个所述芯片接合到所述第一基板的第二基板。(B)为了将接合到所述第一基板和所述第二基板的多个所述芯片接合到第三基板的包含器件层的一个面，将多个所述芯片从所述第一基板分离。与所述芯片分离的所述第一基板包括用于所述芯片与所述第一基板接合时的位置对准、或接合后的位置偏移的测定的对准标记。