公开(公告)号：CN112992643A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011451572.3

申请日：2020-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山岸幸司 ,  白泽大辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域的沉积。腔室用于对基板进行等离子体处理。加热器与腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域相对应地配置。加热器电源被设为能够向加热器供给脉冲状的电力。

公开(公告)号：CN112863988A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011311083.8

申请日：2020-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 白泽大辅 ,  佐藤直纪

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种清洁用的制程制作方法和清洁方法，用于高效地将附着于腔室内的沉积物去除。清洁用的制程制作方法包括蚀刻工序、测定工序以及制作工序。在蚀刻工序中，按预先决定的多个温度和多个压力的每个组合，使用被供给至腔室内的清洁气体对层叠在被搬入腔室内的试验基板上的金属化合物进行蚀刻。在测定工序中，按温度和压力的每个组合来测定金属化合物的蚀刻速率。在制作工序中，基于按温度和压力的每个组合测定出的金属化合物的蚀刻速率，来制作包括使蚀刻速率成为预先决定的蚀刻速率以上的温度和压力的组合的清洁用的制程。