公开(公告)号：CN101546709A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910130006.X

申请日：2009-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森琢哉 ,  高桥正彦

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种能够使多晶硅膜相对于硅氧化膜的选择比变大、并且能够抑制在硅衬底上产生凹部的蚀刻方法以及半导体器件的制造方法。一种晶圆(W)，在硅衬底(35)上依次形成栅极氧化膜(36)、多晶硅膜(37)以及具有开口部(39)的硬掩模(38)，在与开口部(39)对应的多晶硅膜(37)的沟槽(40)内形成有自然氧化膜(41)，在该晶圆(W)中，对自然氧化膜(41)进行蚀刻直到多晶硅膜(37)在沟槽(40)的底部露出为止，将环境的压力设定为13.3Pa，向处理空间(S2)提供氧气、溴化氢气体以及氩气，将产生偏压的高频电力的频率设定为13.56MHz，通过从溴化氢气体产生的等离子体对多晶硅膜(37)进行蚀刻而完全除去多晶硅膜(37)。

公开(公告)号：CN101546709B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910130006.X

申请日：2009-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森琢哉 ,  高桥正彦

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种能够使多晶硅膜相对于硅氧化膜的选择比变大、并且能够抑制在硅衬底上产生凹部的蚀刻方法以及半导体器件的制造方法。一种晶圆(W)，在硅衬底(35)上依次形成栅极氧化膜(36)、多晶硅膜(37)以及具有开口部(39)的硬掩模(38)，在与开口部(39)对应的多晶硅膜(37)的沟槽(40)内形成有自然氧化膜(41)，在该晶圆(W)中，对自然氧化膜(41)进行蚀刻直到多晶硅膜(37)在沟槽(40)的底部露出为止，将环境的压力设定为13.3Pa，向处理空间(S2)提供氧气、溴化氢气体以及氩气，将产生偏压的高频电力的频率设定为13.56MHz，通过从溴化氢气体产生的等离子体对多晶硅膜(37)进行蚀刻而完全除去多晶硅膜(37)。