-
公开(公告)号:CN1552091A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN02817255.8
申请日:2002-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67253 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
Abstract: 预先对与制品用基板相同的基板以喷嘴边进行扫描边供给涂布液以形成涂布液的线,对其例如以CCD摄像头进行摄像以求取涂布液的接触角,依据该接触角利用几何模型求取进行实际涂布时的扫描速度下的涂布液喷嘴的喷吐流量与间距容许范围二者的关系数据。并且,预先针对每种目标膜厚制作出涂布液喷嘴的喷吐流量与间距二者的关系数据,依据两者的关系数据确定间距。
-
公开(公告)号:CN113851389A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202110677895.2
申请日:2021-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者的热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。热处理单元包括:加热部,其支承形成有覆膜的基片并对基片进行加热;腔室,其具有周壁部和盖部,周壁部包围加热部的周围,盖部通过在盖部与周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖加热部而在加热部上形成处理空间;壳体,其收纳加热部和腔室;第1气体供给部,其向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体;排气部,其以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气;第2气体供给部,其向周壁部与盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体;和第3气体供给部,其向壳体内的腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
-
公开(公告)号:CN1266741C
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN02817255.8
申请日:2002-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67253 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
Abstract: 预先对与制品用基板相同的基板以喷嘴边进行扫描边供给涂布液以形成涂布液的线,对其例如以CCD摄像头进行摄像以求取涂布液的接触角,依据该接触角利用几何模型求取进行实际涂布时的扫描速度下的涂布液喷嘴的喷吐流量与间距容许范围二者的关系数据。并且,预先针对每种目标膜厚制作出涂布液喷嘴的喷吐流量与间距二者的关系数据,依据两者的关系数据确定间距。
-
-