公开(公告)号：CN110880465B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910826373.7

申请日：2019-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木下盛善 ,  佐佐木勇治 ,  佐藤淳一 ,  浅川贵志

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基片处理装置和吹扫方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括：承载器保管架，其载置收纳基片的承载器；气体供给部，其对载置于上述承载器保管架的上述承载器内供给非活性气体；和控制部，其基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对上述承载器内供给上述非活性气体。本发明能够减少非活性气体的使用量。

公开(公告)号：CN115692196A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210846835.3

申请日：2022-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木下盛善

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供能够使装载区域中的氧浓度的管理的精度提高的热处理装置的控制方法和热处理装置的控制装置。热处理装置的控制方法为由热处理装置的控制装置进行的控制方法，所述热处理装置包括：加热炉，其能够对被处理体实施热处理；和装载区域，其能够在将保持所述被处理体的晶舟送入所述加热炉之前或者将所述晶舟从所述加热炉送出之后收纳所述晶舟，所述热处理装置的控制方法的特征在于：当接收到将所述被处理体从所述加热炉送出的指示时，检测所述装载区域内的氧浓度，在所述氧浓度为规定的阈值以上时输出警报。

公开(公告)号：CN110880465A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910826373.7

申请日：2019-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木下盛善 ,  佐佐木勇治 ,  佐藤淳一 ,  浅川贵志

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基片处理装置和吹扫方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括：承载器保管架，其载置收纳基片的承载器；气体供给部，其对载置于上述承载器保管架的上述承载器内供给非活性气体；和控制部，其基于承载器信息、基片信息中至少任意者，控制是否对上述承载器内供给上述非活性气体。本发明能够减少非活性气体的使用量。