公开(公告)号：CN101135046A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147867.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  梅泽好太 ,  门永健太郎 ,  张皓翔

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。

公开(公告)号：CN101135046B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710147867.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  梅泽好太 ,  门永健太郎 ,  张皓翔

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。