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公开(公告)号：CN112400217B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980046663.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/683
Abstract: 一种基板处理系统，用于对基板进行处理，所述基板处理系统具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改性层；第二改性装置，其用于在所述第一基板的内部形成沿所述周缘部与中央部的边界在厚度方向上延伸的周缘改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点将所述第一基板的背面侧分离。
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公开(公告)号：CN111480216A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080171.6
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B7/04 , B24B9/00
Abstract: 用于处理基板的基板处理系统具有：第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
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公开(公告)号：CN112400217A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980046663.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/683
Abstract: 一种基板处理系统，用于对基板进行处理，所述基板处理系统具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改性层；第二改性装置，其用于在所述第一基板的内部形成沿所述周缘部与中央部的边界在厚度方向上延伸的周缘改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点将所述第一基板的背面侧分离。
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公开(公告)号：CN113348534B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202080009765.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 对将第二基板与形成有器件层的第一基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置具有：保持部，其保持所述第二基板的背面；处理部，其对保持于所述保持部的所述第一基板进行处理；第一处理液供给部，其向所述第一基板中与所述器件层相反的一侧的表面供给第一处理液，来蚀刻该第一基板的表面；以及第二处理液供给部，其向所述第二基板的背面供给第二处理液，来去除该第二基板的背面的金属污染。
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公开(公告)号：CN117501415A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042497.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法，对基板进行处理，所述基板处理方法包括对基板的一个面供给至少包含氢氟酸和硝酸的蚀刻液，来对该一个面进行蚀刻，所述一个面的蚀刻包括：将隔着所述基板的旋转中心设定于往复运动的两端部的折返地点之间的距离即扫描宽度、以及使蚀刻液供给部往复运动的扫描速度决定为使第一时间比第二时间短的条件，所述第一时间是在该蚀刻液供给部通过所述旋转中心后直到在所述往复运动的端部折返并再次通过所述旋转中心为止的时间，所述第二时间是直到供给到所述旋转中心的所述蚀刻液由于伴随所述基板的旋转产生的离心力而被排出到所述基板的外周部为止的时间；以及以所决定的所述扫描宽度和所述扫描速度对所述一个面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113348534A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202080009765.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 对将第二基板与形成有器件层的第一基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置具有：保持部，其保持所述第二基板的背面；处理部，其对保持于所述保持部的所述第一基板进行处理；第一处理液供给部，其向所述第一基板中与所述器件层相反的一侧的表面供给第一处理液，来蚀刻该第一基板的表面；以及第二处理液供给部，其向所述第二基板的背面供给第二处理液，来去除该第二基板的背面的金属污染。
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公开(公告)号：CN112420506A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010820747.7
申请日：2020-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大川理
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理系统。适当地进行对基板的湿蚀刻，使基板厚度的面内均匀性提高。基板处理方法用于处理基板，该基板处理方法包括：磨削所述基板的一面的工序；测量所述基板的厚度的工序；对所述一面进行湿蚀刻的工序；以及在将所述基板翻转之后，对该基板的另一面进行湿蚀刻的工序，在所述一面的湿蚀刻过程中，基于所述厚度的测量结果使所述基板的面内厚度一致，在所述另一面的湿蚀刻过程中，使所述基板的厚度减少至目标厚度。
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公开(公告)号：CN112420506B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010820747.7
申请日：2020-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大川理
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理系统。适当地进行对基板的湿蚀刻，使基板厚度的面内均匀性提高。基板处理方法用于处理基板，该基板处理方法包括：磨削所述基板的一面的工序；测量所述基板的厚度的工序；对所述一面进行湿蚀刻的工序；以及在将所述基板翻转之后，对该基板的另一面进行湿蚀刻的工序，在所述一面的湿蚀刻过程中，基于所述厚度的测量结果使所述基板的面内厚度一致，在所述另一面的湿蚀刻过程中，使所述基板的厚度减少至目标厚度。
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公开(公告)号：CN118983257A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411022567.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理装置具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改性层；第二改性装置，其用于在所述第一基板的内部形成沿所述周缘部与中央部的边界在厚度方向上延伸的周缘改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点将所述第一基板的背面侧分离。
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公开(公告)号：CN112514035B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201980048400.0
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大川理
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：蚀刻装置，其对基板进行蚀刻；以及控制装置，其控制所述蚀刻装置，所述蚀刻装置具有：液供给喷嘴，其向基板供给处理液；厚度测量部，其与所述液供给喷嘴一体地设置，并且以不与基板接触的方式测量该基板的厚度；以及移动机构，其使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动，所述控制装置控制所述液供给喷嘴、所述厚度测量部以及所述移动机构，以一边使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动一边通过该厚度测量部来测量基板的厚度。
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