公开(公告)号：CN110504189A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910395773.7

申请日：2019-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保诚人 ,  井本直树 ,  八寻俊一

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在基片处理中发生不均的技术。实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。

公开(公告)号：CN102024678A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010276303.8

申请日：2010-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八寻俊一 ,  佐田彻也 ,  久保诚人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种能够抑制基板间的热处理温度产生偏差、并且使基板间以及基板面内的布线图案的线宽均匀化的热处理装置。该热处理装置包括：基板输送部件，形成基板输送路径，沿基板输送路径连续地平流输送多个基板；第1腔室，覆盖基板输送路径的规定区间，形成对由基板输送路径输送来的基板进行热处理的热处理空间；加热部件，其加热第1腔室的内部；清洁空气供给部件，其配置在上述第1腔室的前方，向上述基板输送路径吹送清洁空气；控制部件，其至少控制上述清洁空气供给部件的清洁空气的吹送量；上述第1腔室具有用于输入上述基板输送路径上的上述基板的输入口，由上述清洁空气供给部件吹送的清洁空气自上述输入口被供给到上述第1腔室内。