公开(公告)号：CN101981671A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111184.6

申请日：2009-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下村晃司 ,  上野哲嗣 ,  青山真太郎 ,  中村源志

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31645 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 一种成膜方法，包括：在硅基板表面形成氧化膜的工序；对所述氧化膜进行蚀刻，利用所述氧化膜形成界面氧化膜，使得利用XPS法测定的所述界面氧化膜的膜厚为以以上的工序；和利用MOCVD法，在氧化气氛中在所述界面氧化膜上形成HfO2膜的工序。