公开(公告)号：CN101084473B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200580043768.6

申请日：2005-12-26

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 越山淳 ,  平康充 ,  篠原知真

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168

Abstract: 本发明提供一种光蚀刻用清洗液，其对于用于i线、KrF、ArF的各种抗蚀剂、含硅抗蚀剂、化学放大型正型抗蚀剂等各式各样组成的抗蚀剂显示同样优良的清洗性，处理后的干燥性良好，不会由于清洗而损害抗蚀剂特性。该清洗液含有(A)选自乙酸或丙酸的低级烷基酯中的至少1种和(B)选自1分子中的碳原子数为5～7的酮中的至少1种，并且(A):(B)的质量比为4:6～7:3的范围。

公开(公告)号：CN101084473A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580043768.6

申请日：2005-12-26

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 越山淳 ,  平康充 ,  篠原知真

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168

Abstract: 本发明提供一种光蚀刻用清洗液，其对于用于i线、KrF、ArF的各种抗蚀剂、含硅抗蚀剂、化学放大型正型抗蚀剂等各式各样组成的抗蚀剂显示同样优良的清洗性，处理后的干燥性良好，不会由于清洗而损害抗蚀剂特性。该清洗液含有(A)选自乙酸或丙酸的低级烷基酯中的至少1种和(B)选自1分子中的碳原子数为5～7的酮中的至少1种，并且(A)∶(B)的质量比为4∶6～7∶3的范围。