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公开(公告)号：CN111491771B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880081983.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供，通过具有模具追随性、耐热性优异，并且抑制加热时产生的褶皱，在大变形后脱模性也不易变化的特性，从而可以适合用于工序用途、特别是半导体密封工序用途的脱模膜。解决手段是一种工序用脱模膜，在将利用TMA测得的、以10℃/分钟从30℃升温到200℃时的30℃～150℃中的最大尺寸变化率设为S1(％)，将提供S1的温度设为T1(℃)，且将40℃下的尺寸变化率设为S0(％)时，满足下述(I)和(II)式，25℃下的表面自由能Sa(mN/mm)、在180℃下进行了3分钟热处理后的表面自由能Sb(mN/mm)和在180℃下伸长50％后的表面自由能Sc(mN/mm)在膜的至少一面满足下述(III)和(IV)式。0≤S1≤1.5 (I);0≤|S1‑S0|/(T1‑40)≤0.050 (II);0≤|Sa‑Sb|≤15 (III);0≤|Sa‑Sc|≤15 (IV)。
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公开(公告)号：CN110573334A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880026540.3
申请日：2018-04-06
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种膜，是至少一面的表面粗糙度SRa为100nm以上且3000nm以下，并且20cm×14cm范围内的上述表面粗糙度SRa的偏差为10％以下，320nm的平行光线透射率ST320为30％以上的膜，通过该膜，在作为转印膜使用的情况下，能够均匀地转印低光泽调外观，并且即使在使用了光固化性树脂作为被转印材的情况下，也能够进行低光泽外观的转印、形状固定，具有粒子脱落、削减这样的不良状况不易发生的良好的加工工序适应性。
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公开(公告)号：CN115516650A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033745.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L33/60 , B32B3/24 , B32B27/00 , F21S2/00 , G02B5/08 , G02F1/13357 , H01L33/48 , H01L33/62 , F21Y115/10
Abstract: 一种LED基板(1)，是在基材(2)的至少一面具有LED光源(5)、反射层(3)和与上述反射层(3)相邻地设置的粘着层(4)的LED基板(1)，上述反射层(3)包含白色颜料，并且上述LED光源(5)相对于反射层(3)突出的突出部高度(P)为20μm以上且200μm以下，即使在将上述LED基板(1)作为迷你LED方式的基板而使用的情况下也能够达到充分的亮度。
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公开(公告)号：CN110997319B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201880048855.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供在作为用于涂布功能性材料而获得功能性材料层的薄膜(功能性膜)的工序基材使用时，能够使涂布性、加工后的剥离性、功能性膜的特性、品质良好的膜。解决手段是一种膜，其特征在于，是在至少一面具有聚合物A层的膜，在将利用AFM求出的聚合物A层的最大高度设为Rm1(nm)，将180℃加热处理5分钟后的、利用AFM求出的聚合物A层的最大高度设为Rm2(nm)时，满足下述式(I)。Rm2‑Rm1＞0nm…(I)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110678504B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880033288.9
申请日：2018-04-16
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 一种膜，其特征在于，25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下，在将施加荷重120g/mm2，且以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率1，将90℃尺寸变化率1最大的方向设为X方向，将与X方向在膜面内正交的方向设为Y方向，将X方向的90℃尺寸变化率设为Tx1(％)时，Tx1为‑10.00％以上且10.00％以下。提供具备在加热工序中能够维持平面性的程度的耐热性、和对于作为切割用粘着膜等使用而言充分的柔软性的、适合作为半导体制造工序用基材的膜。
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公开(公告)号：CN110678504A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033288.9
申请日：2018-04-16
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 一种膜，其特征在于，25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下，在将施加荷重120g/mm2，且以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率1，将90℃尺寸变化率1最大的方向设为X方向，将与X方向在膜面内正交的方向设为Y方向，将X方向的90℃尺寸变化率设为Tx1(％)时，Tx1为-10.00％以上且10.00％以下。提供具备在加热工序中能够维持平面性的程度的耐热性、和对于作为切割用粘着膜等使用而言充分的柔软性的、适合作为半导体制造工序用基材的膜。
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公开(公告)号：CN110573334B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201880026540.3
申请日：2018-04-06
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种膜，是至少一面的表面粗糙度SRa为100nm以上且3000nm以下，并且20cm×14cm范围内的上述表面粗糙度SRa的偏差为10％以下，320nm的平行光线透射率ST320为30％以上的膜，通过该膜，在作为转印膜使用的情况下，能够均匀地转印低光泽调外观，并且即使在使用了光固化性树脂作为被转印材的情况下，也能够进行低光泽外观的转印、形状固定，具有粒子脱落、削减这样的不良状况不易发生的良好的加工工序适应性。
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公开(公告)号：CN111491771A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081983.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供，通过具有模具追随性、耐热性优异，并且抑制加热时产生的褶皱，在大变形后脱模性也不易变化的特性，从而可以适合用于工序用途、特别是半导体密封工序用途的脱模膜。解决手段是一种工序用脱模膜，在将利用TMA测得的、以10℃/分钟从30℃升温到200℃时的30℃～150℃中的最大尺寸变化率设为S1(％)，将提供S1的温度设为T1(℃)，且将40℃下的尺寸变化率设为S0(％)时，满足下述(I)和(II)式，25℃下的表面自由能Sa(mN/mm)、在180℃下进行了3分钟热处理后的表面自由能Sb(mN/mm)和在180℃下伸长50％后的表面自由能Sc(mN/mm)在膜的至少一面满足下述(III)和(IV)式。0≤S1≤1.5 (I);0≤|S1-S0|/(T1-40)≤0.050 (II);0≤|Sa-Sb|≤15 (III);0≤|Sa-Sc|≤15 (IV)。
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