公开(公告)号：CN116847981A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012984.8

申请日：2022-03-23

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 中嶋里沙乃 ,  有本由香里 ,  越野美加 ,  荒木斉 ,  富川真佐夫 ,  藤原健典 ,  青岛健太

IPC: B32B27/00

Abstract: 本发明提供一种层叠体，其中在使用各种波长的激光的半导体元件的转印中，可无残胶或对元件的损伤地以宽广的加工裕度实施。一种层叠体，为依序层叠有具有激光透过性的基板1、树脂膜1、树脂膜2的层叠体，所述树脂膜1在200nm～1100nm中的任一波长下的换算为膜厚1.0μm时的吸光度为0.4以上且5.0以下，所述树脂膜2的与树脂膜1侧为相反侧的表面的接着强度满足0.02N/cm以上且0.3N/cm以下。

公开(公告)号：CN116868319A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280014325.8

申请日：2022-03-23

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 有本由香里 ,  中嶋里沙乃 ,  越野美加 ,  荒木斉 ,  富川真佐夫 ,  藤原健典 ,  青岛健太

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明提供一种层叠体，其中可无残胶或对元件的损伤地以宽广的加工裕度实施使用各种波长的激光的半导体元件的转印。一种层叠体，为依序层叠有具有激光透过性的基板1、树脂膜、以及半导体元件的基板，所述树脂膜在248nm、266nm及355nm中的任一波长下的换算为膜厚1.0μm时的吸光度为0.4以上且5.0以下，进而所述树脂膜与所述半导体元件的接着强度为0.02N/cm以上且0.3N/cm以下。