公开(公告)号：CN1261520C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN02141814.4

申请日：2002-08-09

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 大野晃司 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。

公开(公告)号：CN1369530A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103380.3

申请日：2002-01-31

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 浅野宏 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种抛光组合物,它含有下述组分(a)－(g):(a)至少一种选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆和氧化钛的磨料;(b)脂族羧酸;(c)至少一种选自铵盐、碱金属盐、碱土金属盐、有机胺化合物和季铵盐的碱性化合物;(d)至少一种选自柠檬酸、乙二酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的促进抛光的化合物;(e)至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂;(f)过氧化氢和(g)水。

公开(公告)号：CN1245466C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN02127360.X

申请日：2002-07-23

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 酒井谦儿 ,  玉井一诚 ,  北村忠浩 ,  松田刚 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/06

Abstract: 一种抛光组合物，它包含：(a)至少一种选自二氧化硅和氧化铝的研磨剂；(b)至少一种有机化合物，它选自聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚氧乙烯烷基醚、聚氧丙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和由式(1)表示的具有C≡C三键的聚氧化烯加聚物：其中R1-R6各是H或C1-10烷基，X和Y各是乙烯氧基或丙烯氧基，m和n各是1-20的正整数；(c)至少一种选自柠檬酸、草酸、酒石酸、甘氨酸、α-丙氨酸和组氨酸的加速抛光的化合物；(d)至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂；(e)过氧化氢；以及(f)水。

公开(公告)号：CN1340583A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01122298.0

申请日：2001-08-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 酒井谦儿 ,  浅野宏 ,  北村忠浩 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/06

Abstract: 一种抛光组合物,它含有:(a)研磨剂;(b)与铜离子形成鳌合物的化合物;(c)向铜层提供形成保护层作用的化合物;(d)过氧化氢;(e)水;其中所述的组分(a)研磨剂的原生颗粒粒度为50－120纳米。

公开(公告)号：CN1497030A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03127205.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 大野晃司 ,  堀川智代 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/18 ,  B24B1/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、氨水、硝酸铵和水，且它的pH值在1.8～4.0之间。

公开(公告)号：CN1407050A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02141814.4

申请日：2002-08-09

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 大野晃司 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。

公开(公告)号：CN1216112C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN01122298.0

申请日：2001-08-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 酒井谦儿 ,  浅野宏 ,  北村忠浩 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/06

Abstract: 一种抛光组合物，它含有：(a)研磨剂；(b)与铜离子形成螯合物的化合物；(c)向铜层提供形成保护层作用的化合物；(d)过氧化氢；(e)水；其中所述的组分(a)研磨剂的原生颗粒粒度为50-120纳米。

公开(公告)号：CN1398939A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02127360.X

申请日：2002-07-23

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 酒井谦儿 ,  玉井一诚 ,  北村忠浩 ,  松田刚 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/06

Abstract: 一种抛光组合物，它包含：(a)至少一种选自二氧化硅和氧化铝的研磨剂；(b)至少一种有机化合物，它选自聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚氧乙烯烷基醚、聚氧丙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和由式(1)表示的具有C≡C三键的聚氧化烯加聚物：其中R1－R6各是H或C1－10烷基，X和Y各是乙烯氧基或丙烯氧基，m和n各是1－20的正整数；(c)至少一种选自柠檬酸、草酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的加速抛光的化合物；(d)至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂；(e)过氧化氢；以及(f)水。