公开(公告)号：CN109216200B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201810852420.0

申请日：2018-07-27

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 曾绍海 ,  黄仁东 ,  左青云 ,  李铭 ,  夏亮

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10

摘要： 本发明公开了一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法，包括：在硅衬底上依次淀积第一介质层薄膜，第一金属栅薄膜和第一高K金属薄膜；图形化第一高K金属薄膜，形成第一高K金属图形；淀积第二介质层薄膜并平坦化；在上述结构表面键合一单晶硅片并减薄；图形化单晶硅片，形成鳍的图形，去除第二介质层薄膜；淀积第二高K金属薄膜并图形化，形成从四周包围鳍的第二高K金属图形；淀积第二金属栅薄膜并图形化，形成从四周包围鳍和第二高K金属图形的第二金属栅图形。本发明以体硅为衬底形成全包围的栅极结构，并通过键合一单晶硅片形成鳍结构，在保证所需器件特性的同时，解决了现有技术工艺复杂，成本高问题，成本低，易于实施。

公开(公告)号：CN109216200A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810852420.0

申请日：2018-07-27

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 曾绍海 ,  黄仁东 ,  左青云 ,  李铭 ,  夏亮

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10

摘要： 本发明公开了一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法，包括：在硅衬底上依次淀积第一介质层薄膜，第一金属栅薄膜和第一高K金属薄膜；图形化第一高K金属薄膜，形成第一高K金属图形；淀积第二介质层薄膜并平坦化；在上述结构表面键合一单晶硅片并减薄；图形化单晶硅片，形成鳍的图形，去除第二介质层薄膜；淀积第二高K金属薄膜并图形化，形成从四周包围鳍的第二高K金属图形；淀积第二金属栅薄膜并图形化，形成从四周包围鳍和第二高K金属图形的第二金属栅图形。本发明以体硅为衬底形成全包围的栅极结构，并通过键合一单晶硅片形成鳍结构，在保证所需器件特性的同时，解决了现有技术工艺复杂，成本高问题，成本低，易于实施。

公开(公告)号：CN109119362A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810809595.3

申请日：2018-07-23

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 曾绍海 ,  李铭 ,  夏亮

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明公开了一种用于高温离子注入的加热装置，包括：基座，其形成有加热空腔，加热空腔的侧面具有窗口；至少两个承片台，分设于加热空腔上方的基座外周上，用于从边缘部位承载和固定硅片；上加热单元和下加热单元，用于分别从硅片的正面和背面对硅片进行加热，下加热单元设于加热空腔中。本发明采用点支撑式承片台结构承载和固定硅片，并采用双面同时加热的方式，解决了导体衬底在高温离子注入工艺中的翘曲问题，提高了高温离子注入工艺的均匀性，装置结构简单，成本较低。本发明还公开了一种用于高温离子注入的加热方法。