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公开(公告)号：CN202043093U
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201120098617.3
申请日：2011-04-07
Applicant: 上海达华测绘有限公司
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本实用新型公开了一种开关电路，它包括一PMOSFET和一NMOSFET，其中，所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端，且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极，所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接；所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点，同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。采用本实用新型结构的开关电路具有结构简单，便于操作等优点，它能够最大限度地控制静态电流，安全节能。
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