一种集成阻断型浪涌保护器件

    公开(公告)号:CN113809728B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111351503.X

    申请日:2021-11-16

    IPC分类号: H02H9/04 H01L27/088

    摘要: 本发明公开了一种集成阻断型浪涌保护器件,属于半导体保护器件领域,包括:第一三极管器件包括:第一掺杂区以及形成于第一掺杂区中的第四掺杂区;第二掺杂区,通过第一导电沟道连接第一掺杂区;第一控制区,通过第一栅极隔离层连接第一导电沟道,第一控制区用于控制第一导电沟道关断或导通;第二三极管器件包括:第三掺杂区,短路连接于第二掺杂区;第二控制区,通过第一负载连接第一掺杂区,第二控制区用于控制第二导电沟道关断或导通;第五掺杂区,连接第一控制区,以及通过第二导电沟道连接第三掺杂区。本发明只在一个芯片上集成类似可重置保险丝的可变电阻电路,可重复性导通与阻断,实现对电路的浪涌保护。

    一种基于错位触发的可控硅保护器件

    公开(公告)号:CN118039639B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410444931.4

    申请日:2024-04-15

    IPC分类号: H01L27/02

    摘要: 本发明提供一种基于错位触发的可控硅保护器件,包括至少一插指单元,每一插指单元包括:衬底以及形成于衬底的第一面的外延层;第一N型阱区和P型阱区,分别形成于外延层中;第一N+区和第一P+区,分别形成于第一N型阱区中,第一P+区与第一N+区电性连接并作为可控硅保护器件的阳极;第三N+区,形成于P型阱区中,第三N+区的电性输出端作为可控硅保护器件的阴极;第二N+区和第二P+区,形成于外延层中,第二P+区位于第一N型阱区远离P型阱区的一侧,第二P+区与第二N+区相接触。有益效果:通过将导通路径与触发路径分离,提高器件鲁棒性。

    一种结型场效应晶体管器件的制备方法

    公开(公告)号:CN112466753B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202011150276.X

    申请日:2020-10-23

    摘要: 本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法,属于半导体器件设计和制造领域,包括硅片,于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火;清洗后生长第一P型外延层;于第一P型外延层中形成第二N型埋层;再次清洗,生长第二P型外延层;形成N+注入区和P+注入区;生长二氧化硅介质层,并沿Y轴方向形成一深槽,形成深P+掺杂区;清洗,随后淀积P+多晶硅;形成对应的栅极接触孔;形成漏极金属、第一栅极金属和源极金属;于第二表面上形成第二栅极金属。本发明的有益效果在于:具有导通电阻低、栅控能力强、夹断电压低、开关功耗小、关断功耗较低等优点;同时其稳定性较高,适用于各种恒流源电路。

    一种耐压型浪涌保护器件

    公开(公告)号:CN116435976B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310686491.9

    申请日:2023-06-12

    IPC分类号: H02H9/04 B60L3/00

    摘要: 本发明提供一种耐压型浪涌保护器件,属于浪涌保护技术领域,包括连接于两个端口之间的一耐压晶体管组和一变阻器件,耐压晶体管组和变阻器件串联连接,自变阻器件输出一反馈电压;耐压晶体管组至少包括两个晶体管,至少两个晶体管串联连接,每一晶体管于反馈电压的作用下可控制地连接于变阻器件和其中一端口之间。有益效果:本发明通过由两个或以上的晶体管组成的耐压晶体管组和变阻器件实现由中低压晶体管替代高压晶体管,实现高耐压浪涌防护功能,其导通电阻低、工艺简化、成本低。

    一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件

    公开(公告)号:CN116314176A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310055077.8

    申请日:2023-02-03

    摘要: 本发明提供一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件,包括:步骤S1,于N型衬底的预定区域形成P型埋层;步骤S2,于上述表面形成外延过渡层,并于外延过渡层上生长N型外延层;步骤S3,于N型外延层中形成SN层、SP层;步骤S4,于N型外延层中刻蚀形成深槽,深槽中原位填充多晶硅,深槽包括两个第一深槽和两个第二深槽;步骤S5,于上述表面淀积介质层、刻蚀接触孔以及淀积金属层。有益效果:本发明创新性的采用NPN结构,通过精确控制隔离深槽的深度保证器件的通流能力,同时降低了钳位电压,可广泛应用于各种高速数据传输端口的保护;在生长有高浓度P型埋层、衬底上获得近乎本征的高阻外延,从而保证器件的低电容特性。

    一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器

    公开(公告)号:CN114204535B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210148643.5

    申请日:2022-02-18

    IPC分类号: H02H9/02

    摘要: 本发明提供一种加速关断的阻断型浪涌保护器,包括:第一晶体管,其漏极连接第一端口;第二晶体管,其漏极与第一晶体管的源极连接,其源极与第一晶体管的栅极连接,且其源极还连接第二端口;第一电阻,连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间;加速关断模块,连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间。所述加速关断模块在出现浪涌时自身流过的电流为所述第二晶体管栅极寄生电容充电,使所述第二晶体管的栅极电压快速上升,提高所述阻断型浪涌保护器的关断速度。通过在电路中引入加速关断模块来大幅提升阻断型浪涌保护器的关断速度,减少关断过程中流向输出端的电流,为后级负载提供更精细、优良的浪涌保护。

    一种集成阻断型浪涌保护器件

    公开(公告)号:CN113809728A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111351503.X

    申请日:2021-11-16

    IPC分类号: H02H9/04 H01L27/088

    摘要: 本发明公开了一种集成阻断型浪涌保护器件,属于半导体保护器件领域,包括:第一三极管器件包括:第一掺杂区以及形成于第一掺杂区中的第四掺杂区;第二掺杂区,通过第一导电沟道连接第一掺杂区;第一控制区,通过第一栅极隔离层连接第一导电沟道,第一控制区用于控制第一导电沟道关断或导通;第二三极管器件包括:第三掺杂区,短路连接于第二掺杂区;第二控制区,通过第一负载连接第一掺杂区,第二控制区用于控制第二导电沟道关断或导通;第五掺杂区,连接第一控制区,以及通过第二导电沟道连接第三掺杂区。本发明只在一个芯片上集成类似可重置保险丝的可变电阻电路,可重复性导通与阻断,实现对电路的浪涌保护。

    一种双向硅控整流器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117954484A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311783945.0

    申请日:2023-12-22

    摘要: 本发明提供一种双向硅控整流器,涉及半导体技术领域,包括:衬底外延晶体,衬底外延晶体的顶部的两侧形成有对称结构的硅控整流区,两侧的硅控整流区分别连接第一输入端口和第二输入端口;触发区,触发区对称形成于硅控整流区的向外的两侧的顶部,并且各触发区通过对应的单向导流器连接硅控整流区;隔离结构,形成于衬底外延晶体中,分别位于硅控整流区的两侧,从衬底外延晶体的顶部向下延伸。有益效果是硅控整流器获得较低的触发电压,SCR通路上的触发电压和电容不再是强相关的两个参数可独立调整,提高了设计自由度,优化了器件性能,一方面使触发区域电容增加可忽略,另一方面,触发通路不会有分流作用,不影响双向SCR结构的钳位电压。

    一种阻断型浪涌保护器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117220255A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311465613.8

    申请日:2023-11-07

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 本发明提供一种阻断型浪涌保护器,涉及电子器件保护技术领域,包括:第一引脚连接外部电源的高压侧;第二引脚连接外部电源的低压侧;外部的被保护单元接在第三引脚和第四引脚之间;第一浪涌防护单元连接在第二引脚与第四引脚之间,第一浪涌防护单元还连接第一引脚,用于在低压侧出现浪涌时关断从而阻断浪涌从第二引脚通过第四引脚流向被保护单元;第二浪涌防护单元连接在第一引脚和第三引脚之间,用于在高压侧出现浪涌时关断从而阻断浪涌流从第一引脚通过第三引脚流向被保护单元。有益效果是解决传统设计中量产难、稳定性差、良率低、成本高的问题,阻断电源出现的浪涌,防止浪涌电流流向后级的被保护单元,起到阻断特性的浪涌防护。