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公开(公告)号:CN116247115A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202310162011.9
申请日:2023-02-24
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种界面修饰层、隧穿结构、键合太阳电池及制备方法,其中,所述界面修饰层应用于键合太阳电池中,所述界面修饰层生长于隧穿结的n型重掺杂层表面,所述界面修饰层为Si或Se掺杂的Al0.5In0.5P、Ga0.5In0.5P或(AlxGa1‑x)0.5In0.5P,其中x大于0且小于0.5,掺杂浓度大于1×1018cm‑3。该界面修饰层能够阻止重掺杂隧穿结中Te原子在表面的聚集,保护了隧穿结表面晶体结构,提升了隧穿结构的表面平整度;该界面修饰层还能够抑制重掺杂隧穿结中掺杂原子向表面的扩散,提升了键合太阳电池中隧穿结构的量子隧穿几率,提高了键合太阳电池的器件性能。
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公开(公告)号:CN119907365A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202411891899.0
申请日:2024-12-20
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明公开了一种空间太阳电池及其制备方法,所述制备方法包括:步骤1,提供一外延片;所述外延片正面形成有若干正面电极,所述外延片正面未被所述正面电极覆盖的区域形成暴露区;所述外延片背面形成有背面电极;步骤2,在所述暴露区喷涂金纳米球胶体溶液,干燥后在所述暴露区表面形成金纳米球修饰区;所述金纳米球胶体溶液中金元素的含量为0.05mg/mL~0.1mg/mL;步骤3,清洗所述外延片;步骤4,在所述金纳米球修饰区蒸镀减反射膜。本发明实现了提高空间太阳电池的光电转换效率,且制备方法简单,满足未来航天器的应用需求。
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公开(公告)号:CN119584671A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411646198.0
申请日:2024-11-18
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明公开了一种空间太阳电池组件气囊均压装置,包含依次设置的设备罩壳、电气安装板、弹性膜片、承压板;设备罩壳上表面设有屏控一体系统,侧面设有压缩气源接口;电气安装板上表面设有气体比例阀、电磁阀、压力传感器;弹性膜片的侧面均设有压紧框,压紧框上表面设有密封条,压紧框边缘设有螺孔,定位螺栓穿过螺孔,通过密封条将电气安装板与弹性膜片形成一气膜腔;承压板边缘设有间隙调节螺柱和所述定位螺栓,间隙调节螺柱用于调节承压板与弹性膜片之间的间隙,承压板通过定位螺栓将设备罩壳、电气安装板、弹性膜片固定连接。所述装置可以根据不同太阳电池组件实现压力线性调节,极大提升太阳电池组件的施压均匀性和粘贴平面度。
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公开(公告)号:CN119584676A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411682312.5
申请日:2024-11-22
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H10F71/00 , H10F19/80 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种柔性太阳电池组件封装装置及封装方法,包含:真空控制系统和封装系统;所述真空控制系统至少包含上平台真空支撑结构、下平台真空支撑结构、腔体真空控制系统,所述上平台真空支撑结构和所述下平台真空支撑结构合模后形成一密闭腔体,所述腔体真空控制系统对所述密闭腔体内的真空压力进行调节;所述封装系统至少包含合模动力机构、开盖动力机构、位移控制机构、上盖翻转机构、橡胶密封装置、溢胶保护薄膜;所述合模动力机构与所述下平台真空支撑结构相连接,所述开盖动力机构与所述上平台真空支撑结构相连接,所述位移控制机构连接在所述下平台真空支撑结构上,所述上盖翻转机构与所述上平台真空支撑结构相连接,所述橡胶密封装置贴合在所述上平台真空支撑结构上,所述溢胶保护薄膜用于粘贴在柔性太阳电池组件和盖片表面,对柔性太阳电池组件和盖片进行定位和溢胶保护。有效解决同面电极卷曲柔性砷化镓太阳电池的真空封装问题。
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公开(公告)号:CN119947311A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202411902258.0
申请日:2024-12-23
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H10F77/124 , H10F77/14 , H10F77/20 , H10F10/142
Abstract: 本发明公开了一种适用低温低光强环境的高效率多结太阳电池,所述太阳电池包括:由上到下依次叠加的正面电极、GaInP顶电池、第一隧穿结、GaInAs中电池、第二隧穿结、Ge底电池和背面电极;所述GaInAs中电池由上到下依次包括:n型掺杂的GaInP窗口层、n型掺杂的GaInAs发射层、p型掺杂的GaInAs基层和p型掺杂的GaInP背场组成;其中,所述GaInAs基层靠近GaInP背场的一侧的掺杂浓度低于所述GaInP背场的掺杂浓度10倍以上。本发明提供的电池在低温低光强环境(3.3%AM0,4.47mW/cm2,‑130℃)下,光电转换效率效率可达37%以上。
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